法商Exagan為氮化鎵（GaN）半導體技術領導與創新公司，今（18）正式成立「台灣艾斯剛」作為法國以外的第1個駐點、也是跨足亞洲的基地，主要相準台灣半導體技術優越，並能結合供應鏈、合作夥伴與客戶三方，產品鎖定電能轉換元件技術，目前樣品已送件，預計明年初量產。
艾斯剛2014年在法國格勒諾布爾（Grenoble）成立，擁有由法國研究機構CEA-LETI 與半導體材料領導廠商Soitec共同研發的獨特技術，能將GaN覆於矽晶圓上製成電晶體，效能是目前全球常使用於電子器材的矽電晶體的十倍，為該領域的創新與領導者。
艾斯剛的技術能讓電能轉換元件更小、且更具效率，執行長杜飛（Frédéric Dupont）表示，公司在法國本土營運繳出佳績後，相準台灣擁有人力與技術上的優勢，決定正式來台駐點，作為公司在法國以外的第1個據點，首要任務為提供氮化鎵半導體的解決方案，加速亞洲市場的應用與開發。
「創新的技術就要由頂尖的公司來推動」亞洲業務總經理吉渥夫（Ralf Kilguss）表示，台灣的ODM（原始設計製造）業者多數名列全球TOP 10中，角色舉足輕重，在這裡能一次結合供應鏈、合作夥伴與客戶三方，並作為拓展大陸、南韓、日本等市場的立足基地。
艾斯剛今年推出安全高效能的G-FETTM 電晶體及結合驅動與電能轉換元件的G-DRIVETM 智能解決方案，這些產品均設計成可以輕鬆整合進入不同系統，包含伺服器與USB 充電器；吉渥夫表示，目前樣品已送件，預計明年初量產。
艾斯剛的氮化鎵電源開關 （GaN Power switches）設計能在標準200-mm 晶圓廠製造，透過強大的供應鏈提供高效能、高可靠度的產品。G-FETTM 與G-DRIVETM
產品線提供極高效能、極低耗損的電能轉換，大幅增加電能轉換元件的使用效率，並能應用於如太陽能、工業、汽車與資通訊等多種產業領域。