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臺科大攜手光電協進會 推動矽光子與5G半導體材料應用

  • 工商時報 葉圳轍

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文/葉圳轍

一場「矽光子與5G半導體材料產學交流會」,今(18)日在臺科大國際大樓會議室舉行,目地乃為加強矽光子與化合物半導體產學合作,邀請諸多國內外廠商專家學者與會,一同分享研發成果與產學合作經驗,並期望未來共同合作開發更多前瞻應用技術與商機,提升技術競爭力與培育專業人才。

該交流會由臺科大產學營運處與一群臺科大光電傑出校友及光電科技工業協進會(PIDA)發起舉辦,是臺科大46週年校慶活動的一環。

臺科大表示,隨著大流行趨勢放緩的跡象,對5G基站、智慧手機充電器和車載充電器的RF前端的需求現已逐漸增加。由於SiC材料廣泛用於RF前端和功率設備中,因此SiC元件的6英寸晶圓產能一直相對短缺。中國大陸將從今年開始在其「第十四個五年計劃」中投入巨額資金,並擴大其化合物半導體的生產能力,以最終實現半導體的獨立性。

因此,為加強矽光子與化合物半導體產學合作,臺科大特於今年校慶,結合傑出校友及PIDA舉辦「矽光子與5G半導體材料產學交流會」,串連臺科大電資學院相關研究團隊與國內外半導體廠商進行科研成果分享與交流。

該交流會,透過臺科大傑出校友廠商的邀請,出席廠商包括美商KLA、荷蘭商CMC

Materials、漢磊科技、穏晟材料科技、磊拓科技、創技工業等知名企業,並分享諸多研發亮點成果與產學合作經驗,包含矽光子技術、5G/B5G材料、碳化矽(SiC)拋光與研磨加工技術,希望藉由產學交流會方式,串接與國內外半導體廠商在碳化矽(SiC)製程技術、矽光子、5G/B5G材料等領域之研發成果。

PIDA指出,碳化矽(SiC)晶圓為第三代半導體關鍵材料技術,台灣在碳化矽(SiC)關鍵技術上,還須克服面臨多晶抑制單晶成長製程困難點。PIDA去年已成立「台灣GaN功率及微波半導體產業聯誼會」,推動產官學研關鍵技術與自主化交流,希望建構健全產業鏈上、下游,進而拉抬晶體周邊產業,如設備、製程、加工及材料等,並協助會員廠商發展碳化矽(SiC)快速進入市場,引領廠商搶占國際市場商機。

臺科大指出,台灣半導體產業擁有相對完整的產業供應鏈,面對目前科技產業人才缺乏的挑戰,該校將持續培育關鍵科技人才,深耕矽光子積體電路與功率半導體研究,透過與PIDA產學合作,希望產業資源與該校豐沛的學術研究能量,並在前瞻技術能力與人才培育扎根,進而提升該校學生未來就業競爭力。

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