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英特爾新廠擬採EUV 2台廠有望沾光ASML

  • 中央社
英特爾宣布斥資200億美元在美國亞利桑那州新建兩座晶圓廠。圖/美聯社
英特爾宣布斥資200億美元在美國亞利桑那州新建兩座晶圓廠。圖/美聯社

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英特爾(Intel)宣布斥資200億美元在美國亞利桑那州新建兩座晶圓廠,新廠將採用EUV設備,法人預期,艾司摩爾(ASML)可望受惠,家登與帆宣也將沾光。

英特爾執行長季辛格(Pat Gelsinger)宣布一系列發展計畫,將斥資200億美元在亞利桑那州新建2座晶圓廠,預計2024年量產7奈米或更先進晶片,並設立代工服務部門,為其他半導體廠代工製造晶片,英特爾還將擴大外包規模,2023年起提高台積電等第3方生產比重。

針對英特爾重返代工領域,法人認為,台積電不僅製程技術領先1至2年,且沒有自有產品,不會與客戶競爭,可讓客戶安心下單,仍將處於良好競爭地位。

三星(Samsung)、聯電與中芯則可能面臨較大的競爭壓力,不過,法人表示,實際狀況仍需觀察英特爾的執行狀況與客戶意願。

法人指出,英特爾亞利桑那州新廠將採用極紫外光(EUV)設備,EUV設備供應商艾司摩爾營運可望受惠,家登與帆宣是艾司摩爾在EUV方面的合作夥伴,也可望連帶受惠。

台積電今天股價依然受到強大衝擊,收在新台幣576元,跌18元,跌幅3.03%,創2個多月新低,市值縮水4667億元,滑落至14.93兆元,並影響大盤指數約153 點。

聯電股價收在47.15元,跌1.35元,跌幅約2.78%。帆宣股價收在109元,跌1元,跌幅約0.9%。家登股價表現相對強勁,收在321.5元,漲6.5元,漲幅約2.06%。

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