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美光宣布全球首款232層3D NAND正式出貨

  • 涂志豪

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記憶體大廠美光科技(Micron)宣布全球首款232層3D NAND正式量產,新晶片具備業界最高的單位儲存密度(areal density),並提供與前幾代3D NAND相比更高的容量和更佳的能源效率,能提供從終端使用者到雲端之間大部分數據密集型應用最佳支援。

美光技術與產品執行副總裁Scott DeBoer表示,美光的232層NAND作為儲存裝置創新的分水嶺,首次證明了我們具有將3D NAND擴展到200層以上的製造能力。這項開創性的技術涵蓋諸多層面的創新,包括建立高深寬比結構的先進製程能力、新型材料的開發,以及針對美光獨步業界的176層NAND技術所進行的設計改進。

隨著全球數據量持續攀升,儲存容量和性能的提升勢在必行,同時,客戶也必須減少能源消耗以滿足更嚴格的環境永續發展要求。美光的232層NAND技術不僅具備必要的高性能儲存,可以支援資料中心和汽車應用所需的先進解決方案和即時服務,也能提供行動裝置、消費性電子產品和個人電腦所需的回應速度及沉浸式體驗。

該技術節點達到了現今業界最快的NAND I/O速度2.4 GB/s,將滿足以數據為中心的工作負載,如人工智慧、機器學習、非結構化資料庫和實時分析、雲端運算等的低延遲和高吞吐量需求,比美光176層製程節點所提供最高速的介面數據傳輸速度快50%。與前一代產品相比,美光232層NAND的每晶粒寫入頻寬提高100%,讀取頻寬亦增加超過75%,這些優勢將進一步強化固態硬碟(SSD)和嵌入式NAND Flash解決方案的性能和能源效率。

此外,美光232層NAND引進全球首款六平面(6-Plane)TLC生產型NAND,是所有TLC快閃記憶體3中每晶粒擁有最多平面的產品,且每個平面都有獨立的讀取能力。傑出的I/O速度和讀寫延遲表現,結合美光的六平面架構的結合,將實現許多配置的最佳資料傳輸能力。此架構可以減少讀寫命令之間的衝突,進而改善系統級服務品質。

美光的232層NAND也是首款在生產中支援NV-LPDDR4的產品,此低電壓介面與過去的I/O介面相比可節省每位元傳輸逾30%,因此,232層NAND解決方案得以為在提高性能和低功耗之間力求平衡的行動應用、資料中心、智慧邊緣的部署提供理想的後援。該介面亦向下相容,支援舊款控制器和系統。

232層NAND的精巧外形不僅賦予客戶在設計上的彈性,也實現了有史以來最高的TLC密度(14.6 Gb/mm2),其單位儲存密度較目前市場上的TLC競品相比高出35%至100%。232層NAND並採用比美光前幾代產品小28%的新封裝尺寸,11.5mm x 13.5mm的封裝使其成為目前最小的高密度NAND,在更小的空間內實現更高的容量也有助於大幅降低應用時所佔據的主機板空間。

美光執行副總裁兼事業長Sumit Sadana表示,美光在NAND層數方面連續取得了業界第一的進展,進而嘉惠行動裝置電池使用時間、打造更精巧的行動裝置儲存空間、更強的雲端運算性能以及更快的人工智慧模型訓練等優勢,鞏固我們的技術領先地位,美光的232層NAND將是支持各產業數位轉型的端到端儲存創新的全新基礎和標準。

232層NAND的發布是美光在研究、開發和製程技術提升方面皆處於領導地位的成果,它的突破性功能將助我們的客戶在資料中心、更輕薄的筆記型電腦、最新的行動裝置和整個智慧邊緣領域提供更多創新解決方案。

美光的232層3D NAND目前正在新加坡晶圓廠量產,會優先以封裝顆粒形式及透過美光Crucial SSD消費性產品系列向客戶出貨,並於日後發佈更多產品和供貨資訊。美光位於新加坡的NAND卓越製造中心因其在智慧製造領域傑出的營運實力而獲得世界經濟論壇全球燈塔網絡(Global Lighthouse Network)的認證。先進技術如人工智慧工具、智慧控制系統和預測能力,皆有助於美光加速產品開發和提升品質,進而加快良率提升和產品上市時間。

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