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環球晶、漢民、台亞 搶新材料大餅

碳化矽和氮化鎵是目前被市場認為,深具發展前景的下一代半導體材料。圖/本報資料照片
碳化矽和氮化鎵是目前被市場認為,深具發展前景的下一代半導體材料。圖/本報資料照片

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碳化矽(SiC)成長快速,但良率及成本仍待努力,氮化鎵(GaN)應用相對較成熟,台灣各大廠包括中美晶(環球晶)、漢民(嘉晶、漢磊)、日亞化(台亞)及合晶搶進,以期分食市場大餅。

碳化矽和氮化鎵是目前被市場認為,深具發展前景的下一代半導體材料,在5G、電動車、綠能(風力發電)、高速運算等高功率發電、高頻率的運用上,是最關鍵的要素。

相較於傳統的半導體矽材料,碳化矽和氮化鎵這類寬能隙元件具有優異的熱傳導率和高速切換能力,可減少運作損耗;出色的性能適合在高溫高電流環境下運作,可提供更高的功率和絕佳熱傳導;其散熱性能優越,且高飽和電流適用於快速充電。

看好此一發展,環球晶董事長徐秀蘭日前在股東會中表示,化合物半導體需求很強勁,特別是碳化矽,每年產能加倍,但是客戶還要求擴產速度要加快,而且正加速轉往8吋產品。

氮化鎵成長力道不及碳化矽,但環球晶已經擴了一個無塵室,也有客戶正在驗證。

此外,合晶指出,氮化鎵的應用在高壓及快充上,技術已相對成熟,隨著綠能的需求上升,電網對控制晶片的要求也正在改變,該公司擴建產能應用,將會逐步轉到高壓、化合物半導體等應用領域。

至於已在碳化矽和氮化鎵著墨甚深的嘉晶及漢磊,則認為,車用、工業用、綠能等將成為該公司未來主要成長動能,漢磊目前擁有兩個6吋廠,一座廠是以化合物半導體相關,稼動率達8成,另一個廠以矽為主,主要應用是消費性產品,稼動率則較低。受惠於碳化矽產品需求強勁,法人預估,漢磊今年力拚可以逐季成,全年可望持平或略成長。

台亞的碳化矽透過轉投資的積亞半導體切入,預計2023年第四季前就會完成6吋碳化矽每月3,000片之產能置備且逐步導入生產,產能目標為每月5,000片;氮化鎵已經利用現有的6吋感測元件廠試產,預定2024年底前每月出貨拉升至3,000片,營收占比持續提高。

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