運用新的混合鍵合與矽穿孔技術
應用材料公司推出材料、技術和系統，幫助晶片製造商運用混合鍵合（hybrid bonding）及矽穿孔（TSV） 技術將小晶片整合至先進2.5D和3D封裝中。這些新的解決方案，擴大了應材在異質整合（heterogeneous integration, HI）領域領先業界的技術範疇。
異質整合幫助半導體業者將各種功能、技術節點和尺寸的小晶片結合到先進封裝中，使組合後的整體能作為單一產品的形式來運作。異質整合有助於解決產業所面臨的挑戰，這些挑戰部分起因於高效能運算和人工智慧等應用對電晶體的需求以指數級速度成長，而傳統的2D微縮速度趨緩且變得更加昂貴。異質整合技術是全新攻略的核心要件，使晶片製造商能以新的方式改善晶片的功率、效能、單位面積成本與上市時間（PPACt）。
應材是異質整合技術最大供應商，提供經過優化的晶片製造系統，包括蝕刻（ETCH）、物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）、電鍍（ECD）、化學機械研磨（CMP）、退火與表面處理。
應用材料公司半導體產品事業群副總裁暨HI、ICAPS（物聯網、通訊、汽車、電源和感測器）和磊晶技術部門總經理桑德‧瑞馬摩西（Sundar Ramamurthy）博士表示：「異質整合技術正快速發展，起因於傳統2D微縮已不能同時改進效能、功率和成本，而異質整合則能協助晶片和系統公司突破此一限制。我們最新的異質整合解決方案推進了這些產業的最新技術，可以在2.5D和3D結構中配置封裝更多的電晶體和導線，以提高系統效能，降低功耗，最小化尺寸並加快上市時間。」
強化並優化混合鍵合技術
利用晶片對晶圓和晶圓對晶圓的混合鍵合技術，可通過直接銅對銅鍵合來連接晶片，使組合後的元件能夠作為一體運作。混合鍵合是當今晶片製造業最先進的異質整合技術，透過在更小的空間內堆疊更多導線，縮短訊號傳輸的距離，進而提高生產率（throughput）和功率。
今推出的新方案包括：一、Insepra™ SiCN 沉積系統擴展了應材領先業界的混合鍵合產品組合。該系統使用一種新的矽碳氮 （SiCN） 材料，提供產業中最高的介電鍵合強度，並具有優異的銅擴散阻障性。更強的介電鍵合提供了設計人員所需的結構穩定性，能夠在給定區域內整合更多銅對銅互連，從而降低功耗並提高元件效能。
二、Catalyst™ CMP 解決方案幫助客戶控制「表面凹陷」（dishing）量，亦即在後續高溫退火作業步驟中將鍵合的兩個表面上的銅材料預留凹陷。過多的CMP凹陷在銅墊片的頂部表面造成不必要的金屬損失，進而產生空氣間隙並降低銅對銅鍵合的真確度（fidelity）和強度。應材的Catalyst解決方案屬於動態溫度控制技術，可以控制表面凹陷、提高生產率。