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NAND Flash通路喊漲 法人曝不利報價動能關鍵

長江存儲成立於2016年,是NAND Flash領域後起之秀。圖為示意圖。圖/Freepik
長江存儲成立於2016年,是NAND Flash領域後起之秀。圖為示意圖。圖/Freepik

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據大陸媒體報導,長江存儲的3D NAND 產能傳出至24H1的產能,都已經被預訂完畢。由於長江存儲的產能小,且受惠國產化,因此產能被預訂完畢並不意外。此波NAND Flash報價上漲,除原廠不願降價和減產外,部份通路商配合原廠喊價上漲,但後續需求沒有跟上,將不利報價動能。

受惠中國國產化目標,長江存儲24H1產能被預訂完畢,但價格並未決定:

據大陸媒體《問芯 Voice》報導,長江存儲的 3D NAND 產能被手機廠和模組廠兩頭搶購,傳出從現在到24H1的產能,都已經被預訂完畢。其實業者現在才去跟NAND Flash原廠Samsung(005930 KS)、Micron(MU US)、長江存儲等談增加貨源,估計都要不到太多新產能,不然就是要接受高價。

華為Mate 60系列新機熱銷,市場拆解華為Mate 60 Pro新機,發現內部搭載SK Hynix的DRAM和NAND Flash,並非中國指標性NAND Flash大廠長江存儲。雖然長江存儲在遭受禁令前的3D NAND堆疊發展已取得重要技術成果,但到2023年依然以消費性SSD為終端產品主力,手機嵌入式及企業級儲存牽涉到產業生態鏈的開發及配合,2年前華為Mate 60系列新機早設計時,長江存儲當時無法配合開發,因此次新機並未使用長江存儲的產品。且長江存儲的產能少,華為對長江存儲的採購比重也難以短期大幅提升,但擴大國產化供應鏈的目標達成,只是時間問題。

長期而言,大陸積極發展國產化,長江存儲終將會導入華為手機供應鏈,但長江存儲在全球NAND Flash市佔率僅約3~5%左右,若要滿足龐大的中國內需市場、政府合作項目以及中國各家自有品牌等,產能供給早已相當吃緊,所以在國家政策支持下,長江存儲至24H1的產能被預訂完畢並不意外,不過只預訂量並沒有訂價,因為記憶體的報價波動大,屆時出貨價格將依當時市況而決定。

長江存儲在中國政府支持下,原本產能快速增加中,但被美國列入黑名單,使產能增加受限:

長江存儲成立於2016年,是NAND Flash領域後起之秀。美國政府06/2021報告指出,Micron(MU US)和WD(WDC US)面臨長江存儲產品的低價競爭壓力,長江存儲積極擴張和低價策略對Micron和WD已構成威脅,且長江存儲為中國NAND Flash龍頭,也取得約240億美元中國政府補貼。先前市場拆解Apple iPhone 14系列新機,發現有搭載長江存儲產品。長江存儲已發展128層以上高容量產品,朝2025年總月產能30萬片邁進,目標取得全球NAND市場15%以上市佔率。長江存儲目前約佔全球NAND Flash產量 3%左右,產能翻倍成長。照此速度發展,長江存儲將很快追上美國記憶體廠,現在WD市佔率約15%,Micron則約13%。

10/07/2022美國新禁令早就大幅限制或延後長江存儲發展。當時禁令包括邏輯IC(如FinFET或GAAFET)16/14nm或更先進製程、DRAM的18nm或更先進製程、NAND Flash 128層或更高層數產品的設備技術都被限制。禁令發布後,為遵照美國政府規定,生產設備的美國大廠有科林研發(LAM Research)及應用材料(Applied Materials)等駐廠人員已陸續撤出長江存儲。且12/2022長江存儲進一步被列入實體清單。

長江存儲近期與大陸半導體生產設備商合作,包括一家以北京為基地的大型企業,以開發及生產用於置換由Lam Research製造的關鍵零件,包括靜電式晶圓座(ESC),在多個生產過程中利用靜電吸附力來固定晶圓。在美國制裁下,長江存儲也不易大幅增加產能和研發更先進的製程。

NAND Flash報價上漲,主要是來自供給端減少:

媒體報導,Samsung NAND Flash部份規格現貨漲40%,將帶動合約價上漲。1H23記憶體產業經歷Samsung、SK Hynix(00660 KS)及Micron(MU US)國際三大廠全面減產30%以上,跌價趨勢止緩,但低需求市況拖累,造成記憶體價格持續低檔盤旋。

在23Q2財報公布後,原廠的態度傾向極力推動漲價,以避免營運繼續失血,因此再度減產,NAND Flash原廠的產能利用率僅50~60%。Samsung已陸續減少在上游原材料的備貨量,23Q3再度加碼減產,而減產項目主要以第六代V-NAND產品採取128層堆疊製程,但上一代V5產品也可望逐漸進入停產階段,低容量、成本高的舊世代產品將加速退場。

下游表示近期確實接到原廠要漲價的訊息,漲幅依不同客戶別與品項而有所差異,只能說現在前三大晶片廠現在就是一致性地堅決要漲價。外媒報導,Samsung上調NAND Flash合約價9%~10%,Micron價格也上升約10%,SK Hynix、長江存儲等同業也將很快加入漲價行列,幅度可能均達10%左右。

據Trendforce預估,23Q3 NAND Flash報價將QoQ-3~-8%,跌幅收歛。

報價上漲,非實質需求支持,未來上漲有壓:

據TrendForce研究,受高通膨及經濟不佳影響,各雲端服務業者(CSP)資本支出保守並持續調降全年伺服器需求,觀察中國方面CSP業者2023年雲端訂單較2022年衰退,導致全年Enterprise SSD採購容量遞減;北美方面,部分客戶推遲伺服器新平台的量產時程,再加上擴大投資AI伺服器,導致Enterprise SSD訂單低於預期,使得2Q23全球Enterprise SSD營收創新低,僅15億美元,QoQ-24.9%。3Q23 AI伺服器需求仍暢旺,但通用型伺服器訂單和出貨動能仍不見回溫,Enterprise SSD採購量持續承壓,全年採購位元量預估會比2022年低。

目前終端需求疲軟,然而受惠於智慧型手機品牌回補庫存和新機推出,帶動高容量eMMC需求顯著增加,部分嵌入式產品近日在現貨市場也暫停報價。客戶擔心害怕Flash價格反彈開始啟動備貨,受到市場預期漲價心態,現貨市場SSD、eMMC、SD卡等也陸續小幅調漲,整體漲勢不如NAND Wafer強勁

Samsung大幅減產,預期可能讓部分以Samsung主力供應產品價格反彈向上,有望帶動23Q4 NAND Flash整體位元出貨量,並逐步收斂供應商虧損缺口,同時有助於模組廠改善未來獲利情況。不過,TrendForce提到若NAND Flash漲勢要延續至2024年,仍仰賴持續性的減產,以及需觀察Enterprise SSD採購訂單是否會大幅回補。

此波NAND Flash報價上漲,除原廠不願降價和減產外,部份通路商庫存低,且配合原廠喊價上漲,但後續需求沒有跟上,將不利報價動能,且若需求真的增加,原廠有可能將減產的產能恢復,供給增加,報價要再上漲有難度。所以近期NAND Flash報價並非有實質需求支持,需求還是要看總體經濟的情況。

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