【中時新聞網 郭宜欣】iPhone 15 Pro系列新機出現容易過熱的毛病,外界一度以為是台積電3奈米的問題,但蘋果官方上周末發聲明表示,主要是iOS 17系統的漏洞與第三方應用程式(APP)交互作用下所導致。此外,有業內人士爆料,罪魁禍首恐怕是規格升級的DRAM(動態隨機存取記憶體)造成運行龐大負擔。
知名科技爆料者Revegnus在社群軟體X(原名Twitter)上引述一位熟悉蘋果半導體業務的達人說法,「幾乎已經確定iPhone 15系列的DRAM是發燙的罪魁禍首,規格升級的DRAM為了配合資料處理速度,消耗了更多電力,這個過程中就會產生熱。」
Revegnus也提到,該名業內人士認為,此問題可能會在一至兩個月內解決,並已經排除其他會引起過熱的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新機後發現,搭載的DRAM是美光最先進的D1β LPDDR5 DRAM晶片。
此前,南韓媒體將iPhone 15過熱原因指向台積電3奈米製程,並提到此跡象可能是FinFET製程技術已經到達極限,而提早在3奈米轉進GAA製程的三星將有突破點,且如果市場對台積電3奈米存疑,客戶可能會轉向或同時採用三星的產品,引起熱烈討論。