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三星、海力士陸廠設備獲解禁 3台廠面臨新一波跌價衝擊

美國即日起無限期開放對三星及海力士陸廠,出口半導體設備;台積電不評論

同樣受限美方禁令的台積電9日表示,不評論市場傳聞。圖/美聯社
同樣受限美方禁令的台積電9日表示,不評論市場傳聞。圖/美聯社

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韓國9日宣布,美國已將三星電子及SK海力士兩大晶片業者列入認證終端用戶(VEU)名單,即日起無限期開放美國業者對三星及SK海力士中國廠房出口半導體製造設備,有助穩定全球晶片產能。韓國總統府經濟事務秘書Choi Sang-mok表示:「美國政府的決定化解了韓國半導體產業最大貿易問題。」

同樣受限美方禁令的台積電9日表示,不評論市場傳聞。法人研判,台積電南京廠是以28奈米製程技術為主,未來迭代至先進製程機率不高,影響有限。另韓廠在中國生產的記憶體晶片,非最先進的,且依然無法採購ASML的EUV光刻機至大陸工廠,只能在成熟製程範圍內維持經營。

去年10月美國政府為防止中國急速擴張半導體勢力,下令禁止美國業者出口先進半導體產品及設備至中國。

這項禁令涵蓋產品列表包括採用FinFET製程技術的16奈米至14奈米邏輯晶片、18奈米以下的DRAM晶片,及128GB容量以上DRAM晶片生產設備或技術。美國半導體業者須向政府取得授權,才能將特定品項出口至中國。

美國政府為確保全球半導體市場供貨穩定,去年10月授予台積電、三星及SK海力士為期一年的豁免權。今年9月豁免權即將到期,三星及海力士取得無限期豁免權,未來即不用再逐年談判。

三星在西安設有晶片廠專門生產NAND Flash記憶體晶片,產量占三星全球NAND Flash產量的40%。三星在蘇州還有一座晶片封裝廠。SK海力士在大陸有多間廠房,其中無錫廠生產DRAM記憶體晶片占該公司全球產量的50%。

台積電方面,第二季製程結構已以先進製程為主,5奈米和7奈米製程比重已逾50%,來自中國大陸比重已不及15%,影響不大。另一方面,台積電選擇降低中國營收比重,積極擴張海外產能,將地緣衝突影響降至最低。

法人認為,豁免消息主要影響恐是破壞記憶體供需平衡,無限期豁免下,兩大記憶體公司將持續增加中國工廠產能,加上中國記憶體晶片廠快速崛起,如長江存儲,長鑫存儲及福建晉華,若供給持續開出,難免又造成另一次價格崩跌,台廠如南亞科、華邦電、旺宏將首當其衝。

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