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鴻鎵世界級耐高溫抗靜電技術 業界第一、領先全球

鴻鎵抗靜電鍍膜於半導體封裝模具及治具,實現可平面、立體鍍膜成果。圖/業者提供
鴻鎵抗靜電鍍膜於半導體封裝模具及治具,實現可平面、立體鍍膜成果。圖/業者提供

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鴻鎵科技為氮化鎵(GaN)研發技術領導廠,提供節能省電之功率半導體元件與終端產品。深耕布局日本氮化鎵快充市場、為台灣首家打入嚴謹日商供應鏈廠;並獲得電源大廠環隆科技採用,設計生產65W氮化鎵快充,通過日本PSE 認證。未來將持續擴大產品應用規模至智慧型手機市場,銷售20-65W快充電源產品。

鴻鎵與日本電信集團子公司NTT-AT合作,將氮化鎵快充導入日本市場販售,為台灣第一家GaN廠商打入日本知名集團供應鏈系統。並與日本大廠持續合作,開發新款100W氮化鎵快充,估計明年就將問世,未來將再與手機大廠合作,將GaN功率元件導入旗下品牌快充、積極打入國際市場。

另外於半導體技術,鴻鎵也積極布局。隨著AI、電動車、低軌衛星應用,半導體元件全面導入10奈米以下先進製程,然而在封裝過程中,將遇到嚴重靜電效應,生產良率降低等問題;鴻鎵推出全新領先全球耐高溫300℃、具高耐磨特性的抗靜電技術,不僅可應用於GaN封裝製程良率提升,同時為先進半導體產業市場提供高效率、高可靠度的抗靜電解決方案。

鴻鎵科技表示,公司研發團隊長期致力半導體等級新材料研發,其中,最新一代抗靜電技術,可在金屬材料表面形成一層緻密可耐高溫至300℃的抗靜電層,於表面生成高耐磨性且壽命長的奈米級鍍膜,可控制表面電阻值在10⁵到10⁹ Ω,有效防止靜電的累積。該技術不僅在生產過程中提供可靠的防禦,還確保半導體設備在使用中不受到靜電的影響,提高產品的可靠度。

鴻鎵進一步分析,此抗靜電技術除特性優於現有抗靜電技術外,且不受尺寸限制,因此成本相較於現有抗靜電鍍膜技術具競爭力,並可廣泛應用於半導體製造的各製程,包括製造、封裝和測試等環節;目前已送樣封測大廠測試中,預估明年在先進鍍膜業績將會迅速看到成效。

鴻鎵抗靜電鍍膜於半導體封裝模具及治具,實現可平面、立體鍍膜成果。圖/業者提供
鴻鎵抗靜電鍍膜於半導體封裝模具及治具,實現可平面、立體鍍膜成果。圖/業者提供

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