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調控DRAM、NAND Flash產能 三星拚拉升報價

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三星公告最新財報數顯示,2023年第四季的DRAM及NAND Flash位元出貨量,優於先前展望,反映出市場需求改善,三星將繼續選擇性地調整生產特定的DRAM、NAND Flash產能,以期拉升報價。

其中,DRAM因庫存改善,稼動率預計自2024年第四季的70%,恢復至2024年第一季的81%、第二季再回升至89%。

三星電子旗下記憶體晶片事業,將在2024年第一季轉虧為盈,預告記憶體產業將開始復甦。

產業界人士分析,三星的2023年DRAM、NAND Flash第四季位元出貨量,優於先前展望,主要因三星記憶體的價格漲幅小於同業,因而加速庫存去化速度,其中,尤以DRAM改善較顯著。

三星將繼續選擇性地調整生產DRAM、NAND Flash產品,由於第一季屬產業淡季,三星2024年第一季DRAM及NAND Flash位元出貨量,預期皆呈季減,但報價將持續拉升。

由於三星的DRAM庫存已去化至八~十周,預期將在2024年第一季季末恢復正常,而NAND Flash 庫存,將在2024年上半年內恢復正常。

三星預計於2024年上半年開始量產HBM3E 24GB產品,並於下半年開始量產HBM3E 36GB產品,進度有所提前。

三星更新一代的HBM4,目前也正在開發中,預計2025年推出樣品,2026年量產。

就HBM3及HBM3E而言,目前用在AI伺服器的HBM3,仍以SK海力士為獨家供應商,後段封裝良率最為優異,其次為美光。

據業界的了解,HBM3E將於2024年第一季開始量產,由於美光將後段TSV及堆疊外包台積電,已加速了產品量產速度。

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