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重拾美自製半導體好光景 英特爾IFS晶圓代工服務打頭陣

今開大會,邀請聯電、聯發科見證,首次對外揭開代工製造部門神秘面紗

  • 工商時報 張珈睿 矽谷
英特爾今(22)日舉行IFS Direct connect,並邀聯電、聯發科、OpenAI執行長奧特曼(Sam Altman)助陣。圖/美聯社
英特爾今(22)日舉行IFS Direct connect,並邀聯電、聯發科、OpenAI執行長奧特曼(Sam Altman)助陣。圖/美聯社

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英特爾執行長基辛格
英特爾全球製造基地
英特爾執行長基辛格 英特爾全球製造基地

英特爾拆分代工製造與晶片設計部門後,首次對外揭開代工製造部門神秘面紗!英特爾今(22)日舉行IFS Direct connect,並邀聯電、聯發科、OpenAI執行長奧特曼(Sam Altman)助陣,揭示其製程技術將重返榮耀。英特爾執行長基辛格(Pat Gelsinger)強調,英特爾晶圓代工服務(IFS)將作為半導體製造領頭羊,在美國半導體自製中扮演關鍵角色。

英特爾晶圓製造大會啟動,值美國政府可望提供高達100億美元補貼,21日英特爾早盤不漲反跌,以下跌逾0.6%開出。

英特爾過去以IDM(整合元件製造廠)自居,包辦半導體從設計到生產所有流程,隨著IC產業進入高度分工,英特爾因設計與代工部門不分,產品開發權責難以釐清,一度陷入產品錯過市場時機,飽受機構投資人詬病的窘境。

英特爾執行長基辛格於2021年提出IDM2.0計畫,英特爾走向分工,日前更攜手聯電合作開發12奈米成熟製程平台,自身轉攻先進製程,於4年內推出5個製程節點,帶來IC性能功耗比和密度的提升。

台積電及英特爾較勁不斷,台積電2奈米將採Nanosheet(奈米片)架構與backside power rail(背面電軌)設計,預計2025年投片量產,英特爾則採RibbonFET(周圍閘極電晶體)及PowerVia(背側供電)兩大突破技術的20A製程,挑戰台積電地位。

英特爾更透露,Intel 18A也進入開發階段,並於奧勒岡州安裝業界第一個高數值孔徑曝光機(High-NA EUV),14A也如火如荼展開,將在先進製程維持領先地位。為滿足HBM與多種運算晶片如CPU、GPU與FPGA等互相連結,先進封裝將是未來新戰場,英特爾也有Foveros、Co-EMIB等最新武器。

大啖美國國防部訂單

英特爾IFS也與美國國防部合作,啟動RAMP-C(Rapid Assured Microelectronics Prototypes - Commercial)計劃,透過此舉建置半導體智慧財產權的生態系能量,同時利用英特爾18A製程進行晶片製造與測試,由英特爾、IBM、微軟和NVIDIA參與,確保美國晶片自主、區域安全保障,對英特爾而言,進一步確立IFS訂單來源。

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