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SK海力士×台積電 推新HBM4

預計2026年投產,將聯手優化HBM產品與CoWoS技術融合

SK海力士19日宣布與台積電簽署諒解備忘錄(MOU),將合作開發預計在2026年投產的高頻寬記憶體,即第六代HBM產品-HBM4。圖/美聯社
SK海力士19日宣布與台積電簽署諒解備忘錄(MOU),將合作開發預計在2026年投產的高頻寬記憶體,即第六代HBM產品-HBM4。圖/美聯社

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SK海力士HBM產品路線圖
SK海力士HBM產品路線圖

SK海力士19日宣布與台積電簽署諒解備忘錄(MOU),將合作開發預計在2026年投產的高頻寬記憶體,即第六代HBM產品-HBM4。由於SK海力士為AI應用記憶體領域的領導者,此次宣布與全球頂級邏輯代工廠台積電合作,強強聯手,已為AI技術創新投下震撼彈。

SK海力士指出,將透過以建構IC設計廠、晶圓代工廠、記憶體廠三方技術合作的方式,實現記憶體產品性能的突破。

兩家公司將致力於針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎晶片(Base Die)進行效能改善。

HBM由多個DRAM晶片(Core Die)堆疊在基礎晶片上,並透過矽通孔(TSV)技術,進行垂直連接而成,基礎晶片也連接至GPU,對HBM進行控制的作用。

SK海力士以往的HBM產品,包括HBM3E(第五代HBM產品),都是基於公司自身製程製程,製造了基礎晶片,但從HBM4產品開始,規劃採用台積電的先進邏輯(Logic)製程。

如果在基礎晶片採用超細微製程,可以增加更多的功能。由此,公司計劃生產在性能和功效等方面,製造滿足客戶需求的客製化(Customized)HBM產品。

同時,雙方將協力優化SK海力士的HBM產品與台積電的CoWoS技術融合,共同因應HBM相關客戶的要求。

SK海力士AI Infra擔當社長金柱善表示,透過與台積電的合作,不僅將開發出最高性能的HBM4,還將積極拓展與全球客戶的開放性合作(Open Collaboration)。

該公司將提升客戶客製化記憶體平台(Custom Memory Platform)的競爭力,鞏固公司AI的記憶體全方位供應商的地位。

台積電業務開發和海外營運辦公室資深副總經理兼副共同營運長張曉強表示,台積電與SK海力士多年來已建立穩固的合作夥伴關係。此次合作更融合了最先進的邏輯工藝和HBM產品,並向市場提供了全球領先的AI解決方案。

展望新一代HBM4,台積電與SK海力士將透過緊密合作,提供最佳的整合產品,為兩家共同客戶開展新的AI創新,成為未來成長的關鍵推動力。

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