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HBM火熱效應 DRAM下半年 可望供不應求

國際大廠產能受排擠,南亞科、威剛及十銓等將受惠

圖/本報資料照片
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HBM最新進度
HBM最新進度

三星、SK海力士及美光等國際記憶體巨擘,皆積極投入高頻寬記憶體(HBM)製程,法人表示,在產能排擠效應下,下半年DRAM產品恐供不應求,預期南亞科、威剛及十銓等業者受惠。

據TrendForce研究,DRAM原廠提高先進製程投片,產能提升將集中今年下半年,預期1alpha nm(含)以上投片,至年底將占DRAM總投片比重約40%。

由於HBM獲利表現佳,加上需求續增,生產排序最優先。以HBM最新發展進度來看,2024年HBM3e將是市場主流,集中在2024年下半年出貨。

SK海力士依舊是主要供應商,與美光均採1beta nm製程,兩家業者現已出貨輝達(NVIDIA);三星則採用1alpha nm製程,預期2024年第二季完成驗證,於年中開始交付。

PC、伺服器、智慧型手機三大應用單機搭載容量增長,對先進製程的消耗量也逐季提升,其中,又以伺服器容量提升最高,隨著Intel、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量產後,其記憶體規格僅能採用DDR5,預期2024年DDR5滲透率至年底將逾50%。

HBM3e出貨將集中下半年,期間同屬記憶體需求旺季,DDR5與LPDDR5(X)預期需求也將看增。在HBM投片比重擴大的情況下,將使得產出有限,下半年產能配置,將會是供給是否充足的關鍵。

三星現有廠房年底產能大致滿載,新廠房P4L規劃於2025年完工,同時Line15廠區將進行製程轉換,由1Ynm轉換至1beta nm以上。

SK海力士M16產能將於2025年擴大,M15X規劃於2025年完工,並於年底量產。美光台灣廠區估2025年恢復滿載,後續產能擴張將以美國為主,Boise廠區2025年完工並陸續移機,並計劃2026年量產。

由於NVIDIA GB200將於2025年放量,其規格為HBM3e 192/384GB,預期HBM產出將接近翻倍,各原廠將投入HBM4研發,因各家產能規劃皆以HBM為優先,在產能排擠效應下,DRAM產品恐供應不及。

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