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DRAM迎超級周期!大摩喊Q3漲15% 2025供需失衡前所未見 3台廠可望受惠

DRAM示意圖。圖/本報資料照片
DRAM示意圖。圖/本報資料照片

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AI狂潮推動記憶體需求飆升,加上過去兩年記憶體廠資本支出不足,華爾街投行摩根士丹利高喊,DRAM市場正迎來前所未見的「超級周期」,標準型DRAM缺口將更勝HBM,價格也跟著水漲船高,第三季報價估季增15%。

國際大廠戮力投入高頻款記憶體(HBM)消耗龐大產能,加上過去兩年資本支出不足、沒有新的晶圓廠擴增產能,導致標準型DRAM供應銳減。摩根士丹利(大摩)預期,標準型DRAM缺口將更勝HBM,價格將隨之走揚,第三季報價估計增15%。

無獨有偶,瑞銀證券最新報告也與大摩看法相仿,透露國際大廠搶進HBM對標準型DRAM造成產能排擠,為DRAM市場邁向超級周期提供動力,已成外資圈共識。

HBM所需晶元容量是標準型DRAM的兩倍,而現階段HBM良率遠低於標準型DRAM,也因此消耗更多產能,加上過去兩年記憶體廠資本支出不足,導致新增產能有限。

大摩表示,由於HBM對標準型DRAM帶來產能排擠效應持續存在,復以AI智能手機、AI PC創造出額外的產能需求,DRAM市場預計將面臨更嚴重的供應短缺。預期2025年標準型DRAM缺口將罕見高達23%,並推升DRAM價格水漲船高。大摩更指出,隨著HBM市占率攀升,整體市場供應不足將更加顯著。

第三季DRAM和NAND晶片價格預估走揚,大摩大舉調高漲幅為13%與20%,調升幅度超過六成。國際大廠SK海力士、三星持續拓產HBM、DRAM產能,預估第三季DRAM合約價季增約10~15%。

而隨著DRAM超級周期迎面而來,報價漲幅超乎預期,可望成為南亞科、十詮、威剛等台廠的營運火種。

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