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鴻鎵科技磊晶及抗靜電鍍膜技術 搶攻AI商機

鴻鎵封裝用彈匣。圖/鴻鎵科技提供
鴻鎵封裝用彈匣。圖/鴻鎵科技提供

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2024年被視為AI元年,隨著高效能運算伺服器需求激增,鴻鎵科技的磊晶及抗靜電鍍膜技術正搶攻這股AI熱潮;其中,6吋及8吋AI伺服器相關GaN功率元件技術,預計2024年底取得認證,全面進軍AI運算市場。

AI運算對效能要求極高,伺服器電路板空間極為寶貴,因此尺寸小但效率優異的氮化鎵(GaN)功率元件成為關鍵。值得關注的是,業界先驅英飛凌及瑞薩公司紛紛收購GaN系統公司,將GaN功率元件導入高端AI伺服器生產。憑藉多年磊晶技術研發經驗,鴻鎵科技強調已做好準備,期待在AI運算市場大放異彩。

鴻鎵抗靜電鍍膜表面電阻值。圖/鴻鎵科技提供
鴻鎵抗靜電鍍膜表面電阻值。圖/鴻鎵科技提供

除GaN功率元件外,鴻鎵獨家開發出耐300度高溫、耐磨達350公尺的抗靜電鍍膜(CAC)技術,不僅已通過SGS認證,更在全球知名半導體大廠測試AI製程治具應用中展現出色表現,有望大幅降低成本達50%,遠勝現有技術。

鴻鎵科技透露,目前半導體製程對抗靜電需求急迫,AI運算、電動車及低軌衛星等高精密領域,若昂貴晶片遭受靜電影響將損失慘重;CAC技術可提供絕佳保護,提高製程良率。

產品品質獲肯定,2023年鴻鎵65W GaN充電器銷往日本電信商NTT-AT,2024年推出台灣版手機充電器,已有多家上市櫃公司樂意將之列為股東會紀念品。鴻鎵科技正全力研發500度高溫CAC,預計明年推出,為AI、電動車及低軌衛星等高精密應用提供最佳靜電防護。

展望未來,鴻鎵科技將持續專注GaN磊晶及CAC抗靜電技術研發,緊貼AI運算及高精密產業脈動,為客戶提供最優質解決方案,全力搶攻AI熱潮所帶來的龐大商機。

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