外電報導，美國明尼蘇達大學開發出顛覆性的先進記憶體CRAM技術，有望解決AI大量耗電的問題，根據媒體指出，國內記憶體大廠旺宏(2337)與IBM共同投入相關技術研發多年，有望在這項嶄新的記憶體技術中搶占先機。受此消息激勵，今(30)日早盤台股重挫逾200點之際，旺宏吸引大量買盤湧進，股價跳空開高，半小時成交量逾2萬張，漲幅約4%，成交量暫居台股上市櫃公司第二大。
外電報導，明尼蘇達大學科學與工程學院的研究人員，歷經長達20多年研究，開發出新世代的相變化記憶體，可大幅降低AI應用能耗，近期相關研究以「實驗展示基於磁性穿隧結（MTJ）的相變化記憶體」為題，登上國際權威期刊《自然（Nature）》的同行評議科學期刊。
報導指出，該項顛覆性的先進記憶體CRAM技術，可在記憶體中直接進行運算，把AI應用能耗大幅降至現有技術的千分之1、甚至萬分之4，有望解決AI大量耗電的問題。
根據媒體報導，台廠當中，旺宏已與IBM攜手投入相變化記憶體開發十餘年，目前旺宏是IBM相變化記憶體唯一合作夥伴；旺宏與IBM的相變化記憶體共同開發計畫以三年為一期，期滿後雙方視狀況再簽新約，雙方相變化記憶體合作方向瞄準AI應用。
旺宏6月營收21.77億元，月增0.8%，連續4個月營收成長，年增1.77%，為今年來首度較去年同期成長。第二季營收64.55億元，季增12.06%；累計上半年營收122.16億元，年減15.94%。
中國通訊市場需求回溫，加上醫療產品銷售暢旺，帶動旺宏第二季營運回升，下半年旺季營運表現仍待進一步觀察。