SK海力士計劃開發4F2（方形）DRAM 降低成本

根據外電報導，SK海力士計劃開發4F2（方形）DRAM，與競爭對手三星十分相似。這是一種經過大量研究的單元陣列結構，其中電晶體以垂直方式堆疊，即所謂的「3D DRAM」。

三星和SK海力士目標是10奈米製程以下的 DRAM 應用 4F2 技術。相關人士認為，採用VG或3D DRAM製程設計，可將EUV製程成本降一半。