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加速HBM商業化腳步 SK海力士 月底量產12層HBM3E

SEMICON Taiwan 2024國際半導體展4日舉行,SK海力士總裁賈斯汀.金(Justin Kim)進行專題演講。圖/顏謙隆
SEMICON Taiwan 2024國際半導體展4日舉行,SK海力士總裁賈斯汀.金(Justin Kim)進行專題演講。圖/顏謙隆

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為搶攻輝達(NVIDIA)B200/B200A商機,SK海力士社長金柱善Kim Ju-Seon(Justin Kim)4日在台指出,SK海力士聚焦於高頻寬記憶體(HBM)生產,以通過質量驗證,縮短產品上市時間,他並宣布,將於本月底量產12層HBM3E,加速HBM商業化腳步。

輝達執行長黃仁勳日前表示,次代GPU代號Rubin採HBM4將於2026年推出。全球記憶體原廠中,SK海力士搶先布局,金柱善指出,HBM4是首款基於基礎裸晶(Base die)的產品,以SK海力士先進的HBM技術搭配台積電先進代工技術,將按照客戶需求進行量產時程。

金柱善受邀來台,並進行專題演講,他提到,AI現在面臨包括電力、冷卻和記憶體頻寬需求等挑戰,其中,最大挑戰是電力短缺,預期資料中心所需電力,將是目前的兩倍,只靠可再生能源,將難以滿足需求。電力增加,也會帶來熱,因此,需要找到更高效散熱的方式。

為了推動AI技術邁向通用人工智慧(AGI),需先解決包括功耗、散熱及記憶體頻寬等核心技術。SK海力士正努力開發能效更高、功耗更低、容量更大的AI記憶體,並針對不同應用推出相對應解決方案。

SK海力士是最早生產8層HBM3E的供應商,並將在本月底開始大規模生產12層HBM3E。至於下一世代的HBM4,據稱將會開始採用台積電的先進邏輯(Logic)製程,以超細微製程基礎裸片(base die),增加更多的功能,SK海力士也能在性能和功效等方面,滿足客戶的客製化(Customized)需求。

SK海力士已在韓國龍仁市擴建新廠,預計2027年新廠將進行量產,使龍仁聚落成為最大、最先進的半導體聚落之一;同時,SK海力士計劃至美國印第安納州進行投資,2028年營運新廠,聚焦HBM先進封裝技術。

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