SK海力士在HBM3E保持領先地位,該公司採用MR-MUF堆疊技術,封裝良率表現優於同業,8層HBM3E已於今年3月開始出貨給Nvidia,且公司在半導體展指出,12層HBM3E預計將於9月底量產,時間點早於原先規劃的第四季。
此外,該公司計劃將於2025年下半年推出12層HBM4,2026年推出的16層HBM4。至於16層HBM4的封裝技術,公司將決定採用原本的MR-MUF,或改採 Hybrid Bonding 以降低厚度。
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SK海力士在HBM3E保持領先地位,該公司採用MR-MUF堆疊技術,封裝良率表現優於同業,8層HBM3E已於今年3月開始出貨給Nvidia,且公司在半導體展指出,12層HBM3E預計將於9月底量產,時間點早於原先規劃的第四季。
此外,該公司計劃將於2025年下半年推出12層HBM4,2026年推出的16層HBM4。至於16層HBM4的封裝技術,公司將決定採用原本的MR-MUF,或改採 Hybrid Bonding 以降低厚度。
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