韓國朝鮮日報報導，三星電子、海力士半導體（SK海力士）前高階主管兼晶片專家崔珍奭（66歲）因涉嫌向中國洩露三星電子核心晶片技術：20奈米級DRAM製程技術資料被拘留。
首爾中央地方法院專門負責拘留令的部長法官金美京5日針對涉嫌違反「關於防止不正當競爭與保護商業秘密的法律」的崔珍奭和前三星電子首席研究員吳某舉行了拘留前的嫌疑人審問（拘留令實質審查），判定「有潛逃的可能」並簽發了拘留令。
兩名嫌疑人涉嫌將包含20奈米級晶片生產所需的溫度、壓力等600多道製程核心資訊的資料洩露給中國成都高真科技。根據首爾警察廳產業技術安保調查隊掌握的情況，兩名嫌犯涉嫌將三星電子關於20奈米級DRAM晶片的獨家技術打包洩漏。
創立成都高真的崔珍奭曾擔任三星電子常務、海力士副社長。2023年6月，他曾因涉嫌竊取三星電子晶片工廠設計圖，並意圖開設20奈米級DRAM晶片的「三星電子複製工廠」被拘留，並於11月被保釋出獄。
1月15日，警方曾申請簽發吳某的拘留令，但法院以「有必要保障其防禦權」為由駁回。
隨後警方進行了補充調查，2日透過首爾中央地方檢察廳資訊科技犯罪調查部（部長安東建）再次申請簽發吳某的拘留令，一併申請的還有崔珍奭的拘留令。據悉，考慮到犯罪的重大性和損失規模，檢方親自出席了拘留令實質審查，說明了犯罪嫌疑。