前往主要內容
工商時報LOGO

輝達B系列有解 埃米機台將到手 台積先進製程雙喜臨門

改版完成,GB200可望順利12月量產;艾司摩爾High-NA EUV初號機本月抵台

圖/台積電提供
圖/台積電提供

已將目前網頁的網址複製到您的剪貼簿!

台積電先進製程利多二連發!供應鏈消息透露,輝達(NVIDIA)Blackwell修改6層Metal layer(金屬層)光罩,不用重新流片(tape-out)再投產,遞延生產時間有限,樂觀估計GB200於12月量產,明年第一季大量交付ODM。另外,ASML的High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光微影系統)設備將於9月首度抵台、傳出將直送交台積電全球研發中心,搶先布局埃米時代。

人工智慧(AI)及高效能運算(HPC)需求強勁,對先進封裝技術的要求也隨之提高,GB200遞延消息成為AI產業最大的多空指標;相關業者透露,Blackwell晶片金屬層在高壓製程下遇到不穩定情況,因此針對問題修正,該事件於7月便已克服,加上情況發生在後道工序(Back-of-Line),研判毋須重新流片生產。但目前仍卡關在CoWoS-L產能,今年仍以S為大宗。

CoWoS先進封裝比較
CoWoS先進封裝比較
CoWoS-S/L/R比較
CoWoS-S/L/R比較

不過,改版的B200將在10月下半年完成,GB200可望順利於12月進入量產,明年第一季便能大量交付ODM業者。法人表示,台積電CoWoS產能持續滿載,GB200延後對營運無影響,而相關產能更加足馬力擴充,CoWoS-L為首要建置目標,相較於S之99%之良率,L約略低於其8個百分點。

在先進製程部分,3奈米台積電幾乎一統江湖,法人估計,明年1月1日先進製程漲價6%,美系手機客戶則調升3%。2奈米台積電保持穩健步伐,預計能在規模上領先競爭對手。

此外,供應鏈透露,台積電訂購之ASML High-NA EUV設備將於本月抵台,初號機作為實驗用,將會以新竹寶山全球研發中心率先擁有;台積電於SEMICON釋出後CFET(互補式場效電晶體)時代路徑圖,比利時微電子研究中心(imec)透露A14製程開始,為追求更小的金屬層間距(Metal pitch),即會開始使用High-NA EUV,對照台積電於2026年以EUV量產A16,外界猜測A14開始將以High-NA EUV為主。

台積電逐漸於軍備競賽取得領先地位,對手傳出在愛爾蘭半導體園區進行人力精簡政策,業內專家指出,愛爾蘭所屬Fab 34於去年甫新廠落成啟動,掌握極紫外光EUV技術,恐將失去部分產能;不過將精力投注在埃米時代戰場,是目前最佳的策略選擇。

逆全球化浪潮下台積電面臨的風險與挑戰 ft.中研院院士 王平

您可能感興趣的話題

留言討論

返回頁首
LOADING

本網頁已閒置超過3分鐘。請點撃框外背景,或右側關閉按鈕(X),即可回到網頁。