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中國實現國產DUV曝光機 可生產8奈米及以下晶片

  • 中央社

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中國工信部近日公布一項通知顯示,中國已取得重大技術突破,研發出深紫外光曝光機(DUV),可生產8奈米及以下晶片,目前正在推廣應用。

中國工業和信息化部官網9日公布「首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)」的通知,下發地方要求加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同。

中國工信部稱,重大技術裝備是國之重器,事關綜合國力和國家安全。「中國首台(套)重大技術裝備」是指國內實現重大技術突破、擁有智慧財產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品,包括整機設備、核心系統和關鍵零部件等。

這份目錄顯示,在積體電路生產裝備,其中一項是「氟化氬光刻機」(DUV曝光機),核心技術指標是「晶圓直徑300mm,照明波長248nm,分辨率≦65nm,套刻≦8nm」。這也代表,這台國產DUV可生產8奈米及以下晶片。

中國大陸科技自媒體今天轉發消息後稱,中國自己的DUV曝光機終於來了,雖然與荷蘭艾司摩爾(ASML)曝光機存在代差,至少己填補空白,可控可用,期待之後能研發出更先進的極紫外光曝光機(EUV)。

美國5日才宣布收緊製造先進半導體設備所需機器的出口管制,荷蘭政府隔天跟進,宣布擴大限制半導體製造設備出口,。

路透社報導,ASML的1970i和1980i深紫外光曝光機(DUV)輸出中國會受到影響,兩款機型大約是ASML所屬DUV產品線的中階位置。

中國若實現國產8奈米及以下製程DUV,未來絕大多數晶片製造,將不用受制於ASML。不過,截至目前,尚無中國官方與廠商宣布這項消息。

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