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涉嫌洩漏長鑫存儲資訊 前三星韓國員工在陸遭逮捕

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韓國男子因涉嫌「向韓國洩露中國半導體資訊」,被控間諜罪於去年12月被中國警方拘留。示意圖。圖/freepik
韓國男子因涉嫌「向韓國洩露中國半導體資訊」,被控間諜罪於去年12月被中國警方拘留。示意圖。圖/freepik

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【中時新聞網 盧伯華】韓國駐華大使館表示,一名50歲韓國男子A某因涉嫌「向韓國洩露中國半導體資訊」,被控間諜罪於去年12月被中國警方拘留。這是自去年 7 月中國修訂的《反間諜法》生效以來,第一起根據該法逮捕韓國人的案件。

《芯智訊》引述韓媒報導說,A某現居安徽省合肥市,在當地一家半導體公司工作,與妻子和兩個女兒一起生活。其曾就職於三星電子半導體部門擔任離子注入技術員20餘年,2016年移居中國,並加入中國最大的存儲晶片製造商長鑫存儲(CXMT),隨後他離開長鑫存儲,又在另外2家中國半導體公司任職。

報導指出,2023年12月18日,合肥市國家安全局的調查人員以間諜罪名逮捕了A先生,並在當地一家酒店隔離審訊了5個多月,隨後於2024年5月被檢察機關移送拘留,預計於2024年11月正式受審。

合肥市國家安全局懷疑,A某在長鑫存儲工作期間曾向韓國洩露長鑫存儲的半導體相關資訊,A某則堅稱自己在中國沒有接觸過任何核心半導體技術。

報導表示,中國新修訂的《反間諜法》於2023年7月生效,新法將間諜行為的範圍從「竊取國家機密和資訊」擴大到包括轉移任何與「國家安全和利益」有關的文件、資料、材料和物品,即使它們不屬於國家機密範疇。

如果A某在後續審判中被判入獄,他將成為首位根據中國《反間諜法》受到處罰的韓國人。過去在中國間諜罪的審判通常需要數年時間,具體的刑期達到3-10年或更長時間並不罕見。

韓國駐華大使館官員表示正向被捕韓國人家屬提供領事協助,中國外交部則證實這名韓國人已被逮捕。

據韓媒指出,2023年12月韓國檢察院以涉嫌違反韓國《防止和保護工業技術洩露法》將2兩名從中國返回韓國的前三星電子韓籍員工逮捕,指控他們涉嫌向中國廠商洩露了三星16nm DRAM技術機密。另一起案件當中,三星和SK海力士前高管亦遭指控涉嫌利用竊取的三星DRAM技術在中國建廠而被捕。今年10月初,韓國政府還推出了最新一攬子措施,以追查和懲罰向外國廠商洩漏關鍵技術的行為,其中已有10起與中國有關。

文章來源:涉嫌向韓國泄露長鑫儲存半導體相關資訊」,三星電子前員工在中國被捕!

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