前往主要內容
工商時報LOGO

「DRAM」的搜尋結果

搜尋結果:206

產業

漲幅趨緩 DRAM第二季合約價 漲5%

受季節性需求疲軟及DRAM價格上漲等因素影響,記憶體第二季合約價估計漲幅趨緩,大部分的DRAM合約價漲幅約在5%,DDR5報價較佳,估漲幅5~10%。  近期市場再度擔憂,記憶體產品的漲價趨勢持續性,主要是通用型伺服器、PC需求展望下修,加上龍頭業者在2023年第四季到2024年第一季陸續收斂減產幅度,可能會影響2024年供需平衡。  惟外資券商大摩的通路調查發現,記憶體報價前景大致沒有變化,DRAM第一季價格維持在15%~20%不變,但第二季合約價可能要延至3月末,才能看到確定的價格,估計季增5%。  不過,PC第一季需求下滑,非AI伺服器主機板在2024年第一季下修8%,終端需求疲軟將影響記憶體客戶的採購價格及數量。  在NAND合約價,大摩也預期,第二季價格上漲幅度也將轉趨溫和,但2024年下半年企業級SSD的需求看好。  展望第三季由於邁入傳統電子產業旺季,手機品牌廠陸續推出新品帶動下,記憶體價格可能持續上漲。多家調研機構指出,2024年智慧型手機市場,有望呈現3~5%成長,AI手機比重雖然預估僅約5%,但未來有機會再增長。  手機品牌業者多在今年初就加速推出年度新機,主要考量手機市場低迷已久,產品先行問世卡位。此外各智慧型手機品牌商,也將在今年強調其AI功能應用於各領域,預計也將帶動記憶體容量增加,帶動通路補備貨需求。  南亞科總經理李培瑛也預測,DRAM從2023年第四季看到市場微幅復甦,持續受AI應用帶動HBM(高頻寬記憶體)需求,加上轉換至DDR5趨勢帶動,看好2024年DRAM價格,有機會持續逐季上漲。

三星DRAM全球市占率高達45.7% 創7年來新高

國際

三星DRAM全球市占率高達45.7% 創7年來新高

韓聯社報導,根據市場調研機構Omdia27日發布的一組數據,三星電子2023年第四季度同步動態隨機存取存儲器(DRAM)全球市占率為45.7%,位居榜首,繼2016年第三季度(48.2%)之後時隔7年創下最高值。 2023年第四季,三星電子DRAM的市占率環比(與上期相比)提升7個百分點,與排名第二的SK海力士(31.7%)的差距拉大到14個百分點。美光以19.1%位列第三。 同期,三星電子DRAM銷售環比和同比(與上一年同期)分增21%和39%,時隔6個季度首次由負轉正。分析指出,第五代雙倍數據速率(DDR5)內存和高頻寬內存(HBM)等高附加值產品銷售大增,拉動整體銷售增長。

產業

南亞科:今年DRAM需求好轉

南亞科總經理李培瑛指出,2024年DRAM需求將逐季好轉,南亞科1B製程技術8Gb DDR4與16Gb DDR5產品將正式導入生產。南亞科以3D堆疊技術開發的高密度RDIMM,也將於2025年上市,目標衝刺雲端伺服器市場。  李培瑛攜經營團隊於23日舉行新春媒體茶敘,帶來記憶體產業好轉的消息,他指出,AI應用帶動高頻寬記憶體(HBM)需求,加上DDR4轉換DDR5,2024年DRAM市場需求將逐季改善。  HBM及DDR5將是2024年主要的DRAM成長產品,具有更大的晶片尺寸和消耗更多產能,三星、SK海力士及美光等三大廠產能轉移至DDR5、HBM製造,應該有助於解決DDR4庫存過剩問題,預期2024年記憶體市場將恢復供需平衡。就DRAM價格部分,李培瑛也預期,2024年價格將持續改善,呈現逐季上漲趨勢,第一到第二季上漲機率高,下半年也有上漲機會。  從應用面來看,AI伺服器在雲端領域掀起需求效應,美國雲端企業的IT支出是觀察重點,而AI PC、AI手機將提升平均DRAM搭載量,消費型市場需求相對健康,2024年有機會穩定成長。  在新產品部分,南亞科將推出1B製程技術的8Gb DDR4和16Gb DDR5,預期2025年底1B月產能有機會推展到1.6~2萬片。

證券

《半導體》南亞科營運逐月逐季佳 Q2損益兩平有難度

【時報記者葉時安台北報導】南亞科(2408)周五舉行新春茶敘,由總經理暨發言人李培瑛主持,DRAM市場持續受到AI應用帶動HBM需求,加上DDR4轉換DDR5,今年預期需求將逐步改善、價格也有機會持續逐季上漲,不過仍須關注大環境變數,公司營運上,價格回升恐沒這麼快,第二季要損益兩平恐有挑戰,不過今年逐月逐季改善可期,而公司計畫1B製程技術8Gb DDR4與16Gb DDR5產品預計2024年導入生產;3D堆疊技術研發進行中,用於開發高密度RDIMM產品,目標伺服器市場。  南亞科總經理李培瑛表示,過去十年記憶體市場相對穩定,在經歷疫情、地緣政治等影響,使得全球經濟逐步走向負面衝擊,DRAM已連跌兩年,坦言壓力不小,然幸運地從去年第四季已看到市場微幅復甦。整體市況來看,DRAM市場持續受到AI應用帶動HBM需求,加上DDR4轉換DDR5,今年預期需求將逐步改善、價格也有機會持續逐季上漲,尤其今年上半年上漲機會較大,下半年同樣有機會,但仍需持續關注各種變數,如全球經濟變化之整體經濟影響、客戶產能需求推出狀況等,其中歐洲戰爭、中美衝擊等地緣政治都可能持續影響市場需求復甦力道。  南亞科連續5個季度虧損,去年EPS降至2.4元,連兩年走跌,市場關注南亞科何時轉盈,南亞科總經理李培瑛提到,DRAM在兩年多期間價格跌深,從2.7跌至1美元,雖然價格已回升,但要爬回高檔仍相對有挑戰,從公司營運來看,今年有機會逐月逐季改善,但年中第二季公司要達到損益兩平恐較有難度,不過公司持續朝目標努力。  南亞科也分析供需狀況,供應商加速生產HBM及高密度DDR5,有利產能去化及調整DDR4及LPDDR4庫存,預估今年將恢復供需平衡。各利多因素,AI伺服器激勵雲端需求,而美國雲端企業的IT支出是觀察重點;AI PC、AI手機也將提升DRAM搭載量;消費性市場需求也將相對健康,今年有機會穩定成長。  南亞科2024年資本支出預算案決議,因應新廠興建、1B製程技術製程轉進等,公司董事會通過資本支出預算以不超過新台幣260億元為上限,其中生產製造設備類預算約占一半。公司董事會也通過股東會將於2024年5月29日召開。  南亞科技營運計畫,1B製程技術8Gb DDR4與16Gb DDR5產品預計2024年導入生產;3D堆疊技術研發進行中,用於開發高密度RDIMM產品,目標伺服器市場。南亞科2024年預期全年位元成長率20%以上,將逐季成長。南亞科新廠營建也如期進行,預計2026年完工;量產依市場需求發展而定。  南亞科營運應用方面,消費型電子產品占約60%以上,PC、伺服器等運算類應用約占20%,手機約20%。  南亞科也提到,1B製程技術(相較1A技術)可使單片晶圓產能提升30%,有助於節能減碳;DDR5產品預期可比DDR4平均功率下降約16%,且效能可提升兩倍。

彎道超車三星?韓DRAM飆股 40位專家喊進:續看漲2成

國際

彎道超車三星?韓DRAM飆股 40位專家喊進:續看漲2成

【時報編譯柳繼剛】彭博社報導,投資人看好Nvidia最主要供應商之一SK海力士後市,即使這家韓國記憶體大廠的股價已大漲一波,但應該還是不會算太貴。 彭博社統計,從2023年初迄今,在這14個月的時間內,SK海力士股價已飆升95%,遠遠超過記憶體同業三星電子以及美光。若以未來獲利的預估本益比來看,SK海力士只有11倍,三星為15倍,費城半導體指數則在27倍左右。 讓SK海力士不斷創新高的利器,就是HBM(高頻寬記憶體)產品。藉著在HBM的全球主導地位,SK海力士也變成人工智慧AI主要概念股之一,並漸漸超車三星電子。 韓國資產管理公司DS認為,投資組合中若沒有納入SK海力士的話,投資報酬率可能就不會太高。全球大型科技類股的股價愈墊愈高下,市場也希望SK海力士能一直上漲。 HBM記憶體產品在經過高效能DRAM堆疊下,可與訓練人工智慧AI的加速器和處理器齊作業。另外,較不受傳統記憶體的周期性需求與市場訂價所影響,販賣HBM晶片商品更賺。 全拜這種高價位人工智慧AI產品之賜,也讓連續4季都陷入虧損窘境的SK海力士,在去年最後1季,也就是10至12月的3個月期間,終於從賠錢轉變成賺錢。 彭博社認為,SK海力士日前與台積電合力研發下一代HBM晶片,就是要拉大跟三星與美光之間的競爭差距。不過,SK海力士以及台積電對此消息都不發表評論。 摩根大通表示,SK海力士尋求與台積電通力合作,市場也臆測SK海力士想要獨霸HBM天下,也可看出HBM的需求強勁。因此,目前SK海力士兇猛的漲勢,可望延續下去。 經彭博社彙整各方意見,有40位全球分析師都是給予SK海力士買進評等,只有3位建議持有,但沒人說要賣出的。另外,根據這些目標價位,未來12個月SK海力士投報率為20%。 不只股市,SK海力士連期貨選擇權也看多。彭博社計算後發現,今年平均看多的期權交易量,要比去年大增57%以上。15日交易最多的合約商品,是最晚到了3月中旬時,SK海力士還有4%上漲空間。 大客戶Nvidia即將在2月21日公布最新季報以及提供未來財測。市場也會利用此機會,來了解人工智慧AI的最新進度。分析師預估,Nvidia在2024財年的最後一季,營收應可上看近204億美元,足足比上一年同期多增兩倍以上。 彭博社認為,藉著在HBM的龐大競爭優勢,SK海力士在DRAM產業的市占率可望大舉攀升。因為跟AI處理器設計者,像是與Nvidia之間綿密的合作關係,SK海力士在DRAM產品HBM中,短期內無法撼動其主導地位。 根據調研單位Polaris Market Research預測,全球半導體記憶體市場的規模,將從2022年1,314.9億美元,膨脹到2032年4,040.2億美元左右。此外,在2023至2032年這10年當中,CAGR(複合年成長率)將可見12%左右的強勁表現。

證券

《半導體》威剛1月營收雙揚 Q1獲利續拚高檔

【時報記者葉時安台北報導】記憶體模組大廠威剛(3260)公告1月合併營收達35.65億元,月增13.35%、年增63.75%。董事長陳立白看好,今年上半年DRAM與NAND Flash價格漲勢明確,客戶備貨意願持續升溫,推動上半年營運維持成長,預期本季獲利可望續站高檔。  陳立白也重申,持續看旺記憶體產業正向發展,看好AI晶片將於下半年逐季放量,記憶體的需求也將隨著AI應用逐季逐年增加。DRAM方面,由於價格調升與庫存回歸正常水位,上游供應商雖逐步恢復產能利用率,但在獲利與未來應用需求考量下,預期上游的DRAM產能配置將以HBM及DDR5等高毛利率產品為主,短期內對產業趨勢與價格走勢都不至於有大幅影響。  另一方面,NAND Flash供給端仍維持減產與限量出貨策略,上半年都可見價格逐季上揚,NAND Flash上游也將於下半年開始結束連續2年虧損,正式進入轉虧為盈的局面。整體而言,記憶體供需兩端仍相當健康,今年將是記憶體產業穩健且多頭走勢的一年。  受惠客戶訂單回溫,威剛1月各產品營收均較2023年12月成長,NAND Flash相關包括SSD、記憶卡與隨身碟產品營收月增近2成。單月DRAM產品占整體營收比重為44.09%,SSD比重達30.15%,記憶卡、隨身碟與其他產品為25.76%。

產業

伺服器DRAM搭載容量 今年估成長17.3%

AI需求高漲,帶動伺服器對記憶體搭載容量。TrendFocre指出2024年Server DRAM單機平均容量預估年增17.3%,Enterprise SSD則預估年增13.2%。  TrendFocre預期,AI智慧型手機與AI PC的市場滲透率會在2025年略有成長,屆時將帶動平均單機搭載容量同步上升。  從智慧型手機來看,2023年記憶體價格來到相對低檔,推升2023年智慧型手機單機的DRAM平均搭載容量,年增17.5%,而NAND Flash單機平均搭載容量年增達19.2%,容量已能滿足使用者需求。  2024年因預期未有新應用推出,不論DRAM或NAND Flash於智慧型手機單機平均搭載容量的年成長幅度將放緩,TrendFocre預估,將分別為14.1%及9.3%。  但在伺服器方面,伴隨AI伺服器需求持續增加,由於Training AI Server是目前市場主流,DRAM的單機平均搭載容量成長幅度更高,Server DRAM預估年增率17.3%,Enterprise SSD則約13.2%。  筆電方面,Microsoft規範AI PC的CPU算力需達40TOPS以上,目前符合該規格的有Qualcomm Snapdragon X Elite、AMD Ryzen 8000系列(Strix Point),及Intel的Lunar Lake,搭載上述CPU量產的筆電,預計要到2024下半年才會陸續推出。  TrendFocre認為,新規格的CPU對拉高記憶體容量的幫助有限,且AI PC硬體規格主要標準要求是加大DRAM容量至16GB,SSD則並未規定必須提升至1TB。  預估DRAM於筆電的單機平均搭載容量年增率約12.4%,後續隨著AI PC量產後,2025年成長幅度才會更明顯。 至於Client SSD雖然單機平均搭載容量有上升趨勢,但受NAND Flash價格大幅回升影響,年增率預估僅9.7%。

產業

《科技》AI需求高 DRAM搭載容量伺服器最威

【時報記者葉時安台北報導】2024年市場持續聚焦AI議題,供應商也陸續推出AI高階晶片,隨著運算速度的提升,TrendForce表示,2024年DRAM及NAND Flash在各類AI延伸應用,如智慧型手機、伺服器、筆電的單機平均搭載容量均有成長,又以伺服器領域成長幅度最高,Server DRAM單機平均容量預估年增17.3%;Enterprise SSD則預估年增13.2%。而AI智慧型手機與AI PC的市場滲透率預期應會在2025年略有明顯成長,屆時將再帶動平均單機搭載容量同步上升。  首先從智慧型手機來看,由於手機晶片商主要著眼於運算效能的提升,尚無實際AI應用推出,故話題發酵程度有限。同時,2023年記憶體價格因市場供過於求而快速崩跌,在價格來到相對低檔的吸引力,推升2023年DRAM於智慧型手機單機平均搭載容量年增17.5%,而NAND Flash單機平均搭載容量年增達19.2%,容量已能滿足使用者需求。因此,2024年在尚未有新應用推出的預期下,不論DRAM或NAND Flash於智慧型手機的單機平均搭載容量的年成長幅度將放緩,分別預估為14.1%及9.3%。  伺服器方面,伴隨AI伺服器需求持續增加,AI高階晶片如NVIDIA H200/B100、AMD MI350及雲端服務業者(CSP)自研ASIC陸續推出或開始量產。但由於Training AI Server是目前市場主流,其擴大採用的記憶體是以有助於高速運算的DRAM產品為主,故相較於NAND Flash,DRAM的單機平均搭載容量成長幅度更高,Server DRAM預估年增率17.3%,Enterprise SSD則約13.2%。  筆電方面,Microsoft所規範AI PC的CPU算力需達40TOPS以上,目前符合該規格的有Qualcomm Snapdragon X Elite、AMD Ryzen 8000系列(Strix Point),及Intel的Lunar Lake,但搭載上述CPU量產的筆電預計要到今年下半年才會陸續推出,因此對拉高記憶體容量的幫助有限,且AI PC硬體規格主要標準要求是加大DRAM容量至16GB,SSD則並未規定必須提升至1TB。因此,預估DRAM於筆電的單機平均搭載容量年增率約12.4%,後續隨著AI PC量產後,2025年成長幅度才會更明顯。至於Client SSD雖有單機平均搭載容量有上升趨勢,但受NAND Flash價格大幅回升影響,年增率預估僅9.7%。

產業

TrendFocre:2024年Server DRAM單機平均容量預估年增17.3%

AI需求高漲,帶動伺服器對記憶體的搭載容量。TrendFocre指出,2024年Server DRAM單機平均容量預估年增17.3%,Enterprise SSD則預估年增13.2%。 TrendFocre預期,AI智慧型手機與AI PC的市場滲透率,會在2025年略有明顯成長,屆時將帶動平均單機搭載容量同步上升。

國際

調控DRAM、NAND Flash產能 三星拚拉升報價

三星公告最新財報數顯示,2023年第四季的DRAM及NAND Flash位元出貨量,優於先前展望,反映出市場需求改善,三星將繼續選擇性地調整生產特定的DRAM、NAND Flash產能,以期拉升報價。  其中,DRAM因庫存改善,稼動率預計自2024年第四季的70%,恢復至2024年第一季的81%、第二季再回升至89%。  三星電子旗下記憶體晶片事業,將在2024年第一季轉虧為盈,預告記憶體產業將開始復甦。  產業界人士分析,三星的2023年DRAM、NAND Flash第四季位元出貨量,優於先前展望,主要因三星記憶體的價格漲幅小於同業,因而加速庫存去化速度,其中,尤以DRAM改善較顯著。  三星將繼續選擇性地調整生產DRAM、NAND Flash產品,由於第一季屬產業淡季,三星2024年第一季DRAM及NAND Flash位元出貨量,預期皆呈季減,但報價將持續拉升。  由於三星的DRAM庫存已去化至八~十周,預期將在2024年第一季季末恢復正常,而NAND Flash 庫存,將在2024年上半年內恢復正常。  三星預計於2024年上半年開始量產HBM3E 24GB產品,並於下半年開始量產HBM3E 36GB產品,進度有所提前。  三星更新一代的HBM4,目前也正在開發中,預計2025年推出樣品,2026年量產。  就HBM3及HBM3E而言,目前用在AI伺服器的HBM3,仍以SK海力士為獨家供應商,後段封裝良率最為優異,其次為美光。  據業界的了解,HBM3E將於2024年第一季開始量產,由於美光將後段TSV及堆疊外包台積電,已加速了產品量產速度。

三星去年獲利創逾十年最低 DRAM事業Q4轉虧為盈

國際

三星去年獲利創逾十年最低 DRAM事業Q4轉虧為盈

三星電子31日公布2023年第四季財報,淨利衰退73%,全年獲利創逾十年來最低,不過這家韓國科技巨擘表示,受惠於人工智慧(AI)熱潮帶動需求復甦,半導體事業的虧損縮小,DRAM部門去年最後一季轉虧為盈。 三星電子上季淨利6.345兆韓元(約47.7億美元),遠低於前一年同期的23.842兆韓元。上季營收67.78兆韓元,營運獲利2.825兆韓元,大致與先前公布的初步財測相符。 至於2023年,全年營收衰退14%至258.936兆韓元,營運獲利萎縮85%至6.567兆韓元,創2009年以來最低,淨利銳減72%至15.487兆韓元,寫下2011年以來最低。 三星表示,去年第四季記憶體晶片事業呈現連續4季虧損,但虧損幅度由去年第三季的逾3兆韓元縮減至2.180兆韓元,去年第一和第二季各虧損超過4兆韓元。

證券

《台北股市》旺宏法說前走疲 DRAM雙雄同黑臉

【時報記者葉時安台北報導】記憶體三雄南亞科(2408)月初已經召開法說會,旺宏(2337)於周二舉行、華邦電(2344)也將在下周二登場,關注記憶體後續復甦展望,帶動轉盈時程。三雄股價低檔游走,周一再度走疲,法說前戲的旺宏下跌近3.5%跌幅最劇,外資轉賣,三大法人聯手賣超失守30元關卡。而記憶體模組廠相對有力,威剛(3260)收漲近2.5%,創見(2451)、十銓(4967)也震盪翻紅走揚。  展望今年,南亞科預估營運將逐季好轉,比溫和再好些的復甦力道走勢,將逐步縮小減產執行,價格逐步走揚,不過財報留意匯損因素牽制,南亞科今年下半年力拚單季虧轉盈。  旺宏2023年12月份合併營收為新台幣18.32億元,年減29.02%、月增1.31%,從四年半低點略微回升;去年第四季營收58.07億元,年減36.02%、季減20.25%;累計2023年1月至12月合併營收為新台幣276.23億元,年減36.48%,創下近7年新低。  旺宏加強技術及產品競爭力,日前董事會決議通過與IBM進行企業級固態硬碟存儲(Enterprise SSD Storage)之3年合作開發計畫,契約至115年12月30日。  任天堂傳將於今年推出新一代Switch遊戲機,並將調漲Switch遊戲機價格,旺宏為Switch遊戲卡長期獨家記憶體供應商,此舉可望帶動營運表現。

國際

韓國│三星在美設實驗室 研發新3D DRAM

業界人士指出,三星在美國設立實驗室,致力開發新一代3D DRAM。該實驗室隸屬總部位於美國矽谷、負責三星在美國半導體生產的Device Solutions America,將負責開發升級的DRAM模型,讓三星在全球3D記憶體晶片市場能居於領先地位。

產業

《科技》首季需求淡恐續減產 DRAM、NAND估再漲價2成

【時報記者葉時安台北報導】今年首季受到工作天數影響,記憶體市場展望,SMART Modular季度分析,首季受到傳統淡季影響,預估今年第一季需求不會明顯增加。而供應商為達損益平衡,第一季預估會持續減產以拉抬產品售價,因此短期供給小於需求的狀況不變。首季供應商維持減產計畫,但減產幅度較上季縮小。整體DRAM平均銷售價格(ASP)季增率(QoQ)預估成長18-23%;NAND Flash預估合約價仍可持續上揚15%至20%。  回顧2023年,全球經濟受到整年持續的通貨膨脹及地緣政治緊繃情勢的影響而大幅放緩。儘管由於地域性衝突尚未停歇,加上全球主要經濟體在大選前呈現不穩定的政治氛圍,2024年的經濟前景仍充滿不確定性,但業界領袖們持續發表樂觀看法,已透露出各領域製造業有望邁向穩定成長的跡象。  值得注意的是,記憶體產業預估將一甩近年來的低迷,呈現正面態勢並強勁反彈,這股復甦力道歸功於AI相關技術的持續進展,有助於擴大工業和消費電子領域對密集型記憶體應用的需求。  邁入2024年,SMART Modular針對記憶體市場主要應用的價格更新和市場前景。以市場概況來論,受傳統淡季影響,預估今年第一季需求不會明顯增加。而供應商為達損益平衡,第一季預估會持續減產以拉抬產品售價,因此短期供給小於需求的狀況不變,供應商於2023下半年連續兩個季度降低DRAM稼動率,並暗示2023年第四季的晶圓產出已進入谷底,截至2023年第四季為止,DRAM及NAND Flash產能利用率僅達到先前各自高峰時期的75%-80%與60%-65%。供應商資本支出主要將用於1b/1c nm製程擴充,以及HBM/200L 3D NAND相關需求。  記憶體2023年DRAM的價格漲幅相對NAND Flash平穩,預估2024年DRAM漲勢將趨於活躍。2024年第一季將鎖定DDR4及DDR5成為漲價主力,而DDR3產能及需求穩定,漲幅會相對平緩。短期整體交易需求仍屬平淡,由於終端市場存在觀望氣氛,今年第一季和第二季將是考驗市場的關鍵時刻。  伺服器市場,2024年第一季伺服器出貨受淡季影響,出貨量預估為440萬台。由於傳統伺服器(Conventional Server)還在進行去化庫存,預期2024年下半年需求才有機會回升。今年首季市場上將同時出現庫存去化與新平台出貨兩種現象,並持續看好AI伺服器帶來的動能,2023年AI伺服器(包括搭載GPU、FPGA、ASIC等零組件)出貨量已逾120萬台,年增率高達37.7%。2024年AI伺服器預計將成長逾38%,市場占比將超過12%。影響記憶體狀況,HBM的ASP相較於其他DRAM產品高出數倍,對供應商的營收有明顯挹注,預估2024年HBM營收年增長率將高達172%。  PC/NB市場,2024年第一季PC出貨量來到5360萬台,年成長7.8%,但整體出貨量仍屬低迷,第二季之後較為樂觀。關於AI PC題材,搭載Intel CPU Meteor Lake的AI PC新機將在上半年陸續進入市場,市場需求可望於下半年發酵。軟體方面,Microsoft針對AI應用開發的Copilot已於2023年第四季底正式進入銷售階段。而商用PC預估於2024年進行汰換更新,這波換機潮將有助於拉抬PC出貨動能。  統整DRAM首季市場展望,DRAM和NAND Flash供需比(Sufficiency Ratio)皆從2023下半年開始反轉。DRAM在第一季供需比預估來到-6.9%。而受惠於PC及手機回補庫存帶動短期需求,部分上游供應商在2023年第四季分別提升DRAM及NAND Flash工廠稼動率。首季供應商維持減產計畫,但減產幅度較上季縮小。整體DRAM平均銷售價格(ASP)季增率(QoQ)預估成長18-23%。  至於NAND Flash第一季市場展望,NAND Flash首季供需比(Sufficiency Ratio)預估來到-21.5%。NAND Flash資本支出相較於2023年減少約7-9%,目前仍未見大幅擴產現象。第一季也受到傳統淡季影響,NAND Flash需求可能下滑,但由於上游強力主導供需調節,預估合約價仍可持續上揚15%至20%。除上游供應商減產措施外,企業級固態硬碟(SSD)的需求有望成為後續NAND Flash出貨成長的關鍵。

產業

法人:第二季開始 DRAM漲幅將有所收斂

研調機構TrendForce預估,2024年第一季DRAM報價漲幅達13~18%,連續兩季呈現雙位數的增長。法人指出,隨著市況好轉,記憶體大廠將逐步恢復產能,加上報價基期有所墊高,預期第二季開始 DRAM漲幅將有所收斂。 不過,法人指出,記憶體大廠增加的供給,主要集中在需求較佳的 HBM 及 DDR5,主要AI 帶動 HBM 需求大幅成長,且 Intel 伺服器 Eagle Stream 放量帶動 DDR5 需求提升。因此,排擠效應仍有助於 DDR4 持續去化庫存,並預期 2024年下半年庫存恢復正常水位。

返回頁首
LOADING

本網頁已閒置超過3分鐘。請點撃框外背景,或右側關閉按鈕(X),即可回到網頁。