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美封鎖反成中助力?ASML喊封鎖無用 華為新機早預言1件事

兩岸

美封鎖反成中助力?ASML喊封鎖無用 華為新機早預言1件事

美國晶片制裁反成中國晶片自主助力?全球半導體設備龍頭艾司摩爾(ASML)新任執行長福克(Christophe Fouquet)日前受訪時表示,美國對中嚴厲晶片制裁,禁止ASML出售極紫外光(EUV)微影設備給中國,只會令中國晶片自主、研發腳步加快,福凱指出,去年華為發表Mate 60 Pro高階手機震撼全球,該款手機就是採用中芯7奈米晶片。 福克表示,ASML過去多年都不用擔心地緣政治會成為半導體設備銷售的枷鎖,但突然之間,卻成為全世界最重要的話題。 美國近年擴大制裁中國半導體,美國聯合日本、韓國、荷蘭、台灣,過去一段時間更是鎖定荷蘭政府施壓,阻止ASML向中國出售先進的EUV機台,並逕至向特定中國晶片廠出售含有美國製零件的設備,甚至連幫中國客戶維修EUV都禁止。 福克警告,這些限制措施恐產生令人意外的後果,美國阻止ASML對中國客戶機台提供維修服務,並不能阻止中國客戶用這些機器製造晶片,並稱,如果我們不在哪裡(中國),我們就失去了控制。 福克認為,美國對中國晶片制裁恐適得其反,成為中國研發先進技術(曝光機)的助力,反而會加速中國晶片自主及研發腳步。 福克指出,去年華為發表Mate 60 Pro高階手機震撼全球就是最佳實例,該款手機就是採用中芯7奈米晶片。這個例子也證明即使沒有ASML極紫外光(EUV)設備,中國一樣能夠自產先進晶片滿足華為需求,只是目前而言,因生產成本更高,暫時無達到量產。 福克指出,由於中國對成熟製程光刻機已經囤積了上千台庫存,因此需求不大,目前中國急需的是極紫外光(EUV)機台,但美國不讓賣,福克無奈表示ASML處境尷尬。

ASML:EUV技術 陸企難追上

兩岸

ASML:EUV技術 陸企難追上

在美國聯手盟友日、荷等的晶片禁令下,荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)禁止對中國大陸出口先進機台,中國被迫走上自主研發道路。機構指出,由於技術本身和生態系統的複雜性,ASML認為「在可預見的未來」,其在極紫外光(EUV)曝光機的技術領域,尚不會面臨中國設備大廠的競爭。  綜合外媒6日報導,ASML財務長Roger Dassen日前出席由Jefferies證券主持的投資者電話會議。在中美科技戰背景下,對於ASML日後所面臨的潛在競爭問題,ASML表示,由於技術方面和生態系統的複雜性,可預見的未來裡,其在EUV技術領域,不會面臨來自中國曝光機設備公司上海微電子(SMEE)或華為的競爭。 資料顯示,ASML先進的標準型EUV曝光機擁有超過10萬個零件,涉及上游5,000多家供應商。這些零部件極為複雜,對誤差和穩定性的要求極高,並且這些零件幾乎都是定製的,90%零件採用的都是世界最先進的技術,其中85%的零部件是和供應鏈共同研發,甚至一些界面都要工程師用高精度機械進行打磨,尺寸調整次數更可能高達百萬次以上。 目前ASML仍然是全球唯一的EUV曝光機供應商,雖然老牌的曝光機廠商:日本的尼康和佳能仍在發展相關業務,但也僅止步於深紫外光微影系統(DUV)。市場後續關注,在EUV技術路線發展受到歐美限制下,中國廠商將是持續投入資源,突破現有限制進行技術跟隨;或是考慮投入資源另闢蹊徑,尋找新的技術路徑? 報導指出,近年美國不斷透過荷蘭政府施壓ASML,要求ASML禁止向中國出售最先進的EUV曝光機。而後在拜登政府推動下,荷蘭2023年收緊對中國出口限制,並從今年1月1日起限制DUV設備,由於中國正在全境興建晶圓廠,這項禁令讓中國企業自去年年中以後加緊自ASML進口曝光機。 中國海關數據顯示,從2023年7月到11月,中國曝光機進口金額激增超過4倍至37億美元。其中,去年第三季中國市場貢獻ASML機台營收的將近一半,遠高於第二季的24%和第一季的8%,去年第四季與今年第一季仍居高不下。

國際

ASML估需求熱到2026年、新EUV出貨台積 設備股嗨

荷蘭半導體設備業龍頭艾司摩爾(ASML Holding N.V.)高層暗示未來幾季有機會接獲重要客戶台積電(2330)大單,股價應聲飆高。 路透社、Investopedia等外電5日報導,Jefferies證券出具的研究報告指出,ASML財務長Roger Dassen樂觀暗示,跟台積電的商業討論已快要有結果,預...詳全文(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

國際

增產先進DRAM 美光廣島新廠傳27年運轉、導入EUV

增產先進DRAM產品,傳出美國記憶體大廠美光(Micron Technology)日本廣島新廠將在2027年運轉生產、將導入多台EUV(極紫外光)微影設備、投資額最高達8,000億日圓。 日刊工業新聞28日報導,為了增產先進DRAM、美光位於日本廣島的新廠據悉將在2027年底運轉生產。該座先進DRAM新廠位於美光廣...詳全文(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

若陸攻台恐掀半導體危機?ASML曝還有1招 台積EUV免驚

產業

若陸攻台恐掀半導體危機?ASML曝還有1招 台積EUV免驚

台灣半導體產業貢獻全球90%先進晶片,在各國佔據重要地位,隨著總統賴清德宣誓就職,也令兩岸關係再掀隱憂,而這也引發美國擔憂,不過,消息指出,艾司摩爾(ASML)可透過遠端強制關閉極紫外光刻機(EUV),美國國安智庫 Silverado Policy Accelerator 主席 Dmitri Alperovitch日前表示,必須讓中國明白武力犯台,也不可能取得台積電的半導體技術。 近年隨著新冠疫情、中美科技戰、地緣政治背景的交織效應影響,全球各國競相砸錢建立半導體自主供應鏈,中美競逐戰場持續擴大再成焦點,若中國舉兵台灣,恐將威脅台灣半導體進而影響全球供應鏈? 南華早報引述消息報導指出,兩名知情人士表示,美國官員私下向荷蘭和台灣同行表達擔憂,擔心中國侵略升級為對台攻擊,全球最先進半導體產業恐落入中國手中。 知情人士透露艾司摩爾與荷蘭政府會面時表示,該公司可透過遠端適關閉全球最先進的EUV,曾就中國入侵台灣進行模擬測試,以更完善地評估風險。 對此,艾司摩爾、台積電和荷蘭貿易部的發言人均拒絕置評。白宮國家安全委員會、美國國防部和美國商務部的發言人沒有回應電子郵件置評請求。 此外,消息指出,EUV需要頻繁維護,如果沒有艾司摩爾的備件,那EUV很快就會停止運行,並強調現場維護EUV是一項挑戰。 阻止中國半導體發展該怎麼做?美國國安智庫 Silverado Policy Accelerator 主席Dmitri Alperovitch 4月曾於華盛頓郵報發表文章表示,晶片是地緣政治與科技進步的關鍵點,若美國要阻止中國在半導體技術取得重大進展,必須四管齊下。 Dmitri Alperovitch認為,美國對中實施相關出口管制意即在此,日本、荷蘭也陸續跟進美國動向。其次,分散晶片供應,目前晶片生產高度集中台灣,對全球而言是一大風險。 此外,Dmitri Alperovitch指出,必須讓中國知道,任何將影響台海危機的行動都可能為經濟帶來嚴重後果。美國與盟友也必須明確告訴中方,任何控制台灣的行為,都無法取得台積電的半導體技術、知識及設備人才。

國際

英特爾搶用新EUV 專家:成本高虧損恐擴大

英特爾(Intel)搶先導入艾司摩爾(ASML)的高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)設備,為外界視為是英特爾重返技術領導地位的關鍵作為。產業專家表示,High-NA EUV成本居高不下,英特爾搶用High-NA EUV恐面臨虧損擴大窘境。 台積電年度技術論壇陸續於美國及歐洲舉行,台灣場技術論壇將於5月23日登場。台積電預計2026年量產A16技術,將結合奈米片電晶體及超級電軌架構,為業界關注焦點。 當英特爾搶訂High-NA EUV設備,韓國媒體引述消息人士報導,ASML今年預計製造5台High-NA EUV設備,已全數由英特爾包下。台積電決定A16製程將持續採用既有EUV設備,不打算使用High-NA EUV設備,受到各界矚目,並引發熱烈討論。 英特爾執行長季辛格(Pat Gelsinger)認為先前反對使用ASML的EUV設備是錯誤決策,拖累晶圓代工事業欠缺獲利能力。他指出,在採用EUV設備後,英特爾在價格、性能方面都很有競爭力。外界關注英特爾搶先導入High-NA EUV設備,能否有助其重返技術領先地位。 工研院產科國際所研究總監楊瑞臨說,台積電會決定A16製程不採用High-NA EUV設備,應是經過綜合評估的決策。 楊瑞臨表示,台積電應明確知道High-NA EUV設備帶來的好處,不過,在成本居高不下的情況下,透過其他方式,以滿足客戶的綜合需求。 據ASML指出,High-NA EUV設備將數值孔徑從0.33增至0.55,更具高解析度圖像化能力,能夠提高精準度,成像更清晰,有助簡化製造流程,減少生產時間,提升生產效率。 台積電業務開發資深副總經理暨副共同營運長張曉強日前於歐洲技術論壇說,他喜歡High-NA EUV設備的性能,但不喜歡它的價格,成本非常高。 ASML每套EUV設備價格約1.8億美元,High-NA EUV設備報價高達3.8億美元,較EUV高出1倍以上,約新台幣122億元。 楊瑞臨表示,半導體先進封裝重要性日益提高,將扮演關鍵配套角色,英特爾爭搶High-NA EUV設備,是「選錯戰場、武器」,因為High-NA EUV設備不是未來左右輸贏的唯一關鍵。 楊瑞臨說,台積電為全球晶圓代工龍頭,客戶多、生態系完整,且資金充裕,客戶若有需求且願意支付更高價格,台積電勢必會採用High-NA EUV設備。 楊瑞臨表示,台積電採用High-NA EUV設備持審慎態度,應已綜合考量必要性,英特爾若大舉採購High-NA EUV設備,未來產能利用率值得觀察,預期不排除可能面臨虧損擴大的窘境。

無需EUV 中芯能製作5奈米晶片?美媒曝關鍵

兩岸

無需EUV 中芯能製作5奈米晶片?美媒曝關鍵

大陸晶圓代工巨頭中芯國際在繼去年為華為Mate 60 Pro提供7奈米晶片後,今年又傳出將為華為生產5奈米晶片,而且製程中無需使用ASML的EUV光刻機,令美媒大感驚訝。 據美國科技媒體PhoneArena報導,華為在2020年發表支援5G的旗艦機系列Mate 40 Pro/Pro+搭載麒麟9000應用處理器 (AP),不過,同年美國實行出口禁令,禁止將含有美國技術的半導體產品與服務提供給華為;2023年8月,華為再度推出支援5G的Mate 60系列,內建的麒麟9000S晶片採用中芯的7奈米製程,震驚全球。 但其實中芯製造的晶片仍比世界頂尖級晶片落後好幾個世代,原因在於美國和荷蘭政府聯手禁止中企購買由ASML製造的微影設備極紫外光(EUV)曝光機,而這是製造使用7奈米以下節點的晶片所必需的設備。 華為今年4月開賣Pura 70系列,採用更多陸製生產零件,顯示大陸在高階晶片自主生產已取得不小的進展。諮詢公司TechInsights拆解Pura 70系列,發現其採用由中芯國際7奈米N+2製程生產的麒麟9010晶片,這是麒麟9000晶片的更新版本,也突顯中芯有製作高階晶片的潛力。 根據《韓國商業報》報導,中芯似乎能夠使用在實施禁令之前購買的舊浸潤式DUV(深紫外光)機台來製作5奈米晶片,這對中芯和華為來說都是一件大事,因為它能使後者更接近3奈米製程,將為2025年華為的旗艦機提供動力的尖端晶片。 除中芯可能很快提供5奈米晶片的消息外,同樣令外媒震驚的是,中芯在今年第一季躍升成全球第三大晶圓大工廠。晶圓代工全球第一的廠商是台積電,第一季銷售額達185億美元,其次是三星,銷售額為35億美元,中芯為第三,銷售額是17.5億美元。

為何不用ASML最先進EUV?台積電高層全說了

國際

為何不用ASML最先進EUV?台積電高層全說了

【時報編譯柯婉琇綜合外電報導】台積電高層周二重申台積電「A16」先進製程節點不一定需要使用艾司摩爾(ASML)下一代先進晶片製造設備「高數值孔徑極紫外光曝光機」(High-NA EUV)。 台積電4月底在加州聖塔克拉拉(Santa Clara)的一場活動上宣布其「A16」新製程將於2026年下半年投產。  High-NA極紫外光曝光機有助使晶片設計縮小多達三分之二,但價格昂貴許多,晶片製造商必須在其優點和成本增加之間權衡得失,同時也必須考量艾司摩爾較成熟的技術是否已經夠用且更為可靠。  台積電業務發展資深副總裁張曉強(Kevin Zhang)周二在阿姆斯特丹的會議上表示,台積電A16製程的工廠可能設計為可引進High-NA極紫外光曝光機,但這還不確定,「我喜歡這項技術,但我不喜歡這個價格」,「艾司摩爾的新技術何時投入使用,我認為這將取決於最佳經濟效益為在何處,以及我們能達成的技術平衡」。  據外媒報導,每套High-NA極紫外光曝光機要價超過3.5億歐元(約3.78億美元),遠高於艾司摩爾常規型EUV機器的2億歐元。  台積電是艾司摩爾常規型EUV設備的最大用戶。  張曉強4月底在加州就曾透露台積電不認為需要使用艾司摩爾新的High-NA極紫外光曝光機來打造A16晶片。  英特爾日前宣布將成為第一家使用此款尖端設備的公司,用來來打造自家的14A晶片。

產業

台積電:A16技術不一定須用艾司摩爾High NA EUV

台積電業務開發資深副總經理張曉強今天表示,台積電的A16技術製程節點不一定需要用到艾司摩爾(ASML)高數值孔徑極紫外光曝光機(High-NA EUV)。 路透社報導,張曉強今天在荷蘭阿姆斯特丹的研討會表示,A16廠的設計可能容納High-NA EUV,但這並非確定。 台積電是艾司摩爾一般極紫外光曝光機的最大客戶。 今天稍早,台積電歐洲子公司總經理狄波特(Paul de Bot)也在荷蘭舉行的研討會上透露,台積電設於德國的歐洲首座廠擬於2024年第4季開始動工。 狄波特在研討會上表示,建廠作業正著手進行中。 台積電去年8月同意投資35億歐元(約新台幣1,222億元),在德國設立該公司首座歐洲廠。

韓媒:英特爾包下ASML高階EUV產能 直到明年這時候

國際

韓媒:英特爾包下ASML高階EUV產能 直到明年這時候

【時報編譯張朝欽綜合外電報導】據韓媒《The Elec》報導,英特爾已獲得艾司摩爾(ASML)正在製造的大部分極紫外光EUV設備,直至明年上半年。 消息人士稱,ASML今年將生產5套EUV設備,這些設備將全部交給英特爾。 他們還表示,由於ASML高數值孔徑EUV設備的產能約為每年5至6台,這意指英特爾將獲得所有的初始庫存。 此外消息人士預計,三星和SK海力士將在明年下半某個時候才能獲得該設備。 他們還說,英特爾在宣佈重新進入晶片代工業務時,已搶先購買了這些設備。 ASML的高NA EUV設備是晶片製造商製造2奈米製程晶片的必備設備。NA代表數值孔徑,表示光學系統收集和聚焦光線的能力,數值越大,越有利於聚集光。高數值孔徑EUV設備的NA從0.33提高到0.55,意指該設備可以繪製更精細的電路圖案。 為贏得客戶,英特爾正以更快的速度採用高NA EUV設備。

台積電1舉動外媒示警 恐淪死敵悲劇下場

產業

台積電1舉動外媒示警 恐淪死敵悲劇下場

【中時新聞網 郭宜欣】半導體大廠艾司摩爾ASML推出最新高數值孔徑極紫外光EUV曝光機,馬上被英特爾採用,但台積電仍在觀望。外媒認為此事將是英特爾重拾霸主地位的狹窄破口,如同當年英特爾並未馬上搶進第一代EUV機台,而台積電大舉投資EUV設備。 美國科技媒體wccftech報導,英特爾打算在18A(1.8奈米)製程中試驗ASML的高數值孔徑極紫外光EUV技術,甚至考慮直接應用在14A(1.4奈米)的製造流程中。 相較之下,台積電並未跟進,原因可能是考量每台高數值孔徑EUV微影機的高昂成本,每台售價高達3.85億美元(約新台幣125.58億)相當可觀。 外媒示警,台積電可能會重蹈英特爾的覆轍,先前英特爾就因為保守的財務政策,推遲大舉投資EUV機台的時間點,台積電則在那區間大舉投資,一下子就拉開技術差距,收穫甜美果實。 即使如此,外媒也提到,英特爾執行長季辛格(Pat Gelsinger)將逆轉勝的關鍵寄託在最新的EUV機台,其實部分成本是由美國人共同承擔,英特爾拿到鉅額晶片法案補助,讓英特爾將成本社會化,當然後續成果也受到美國社會高度檢視。

國際

英特爾High-NA EUV 將開啟晶片發展新紀元

英特爾18日宣布,於俄勒岡州之研發中心,完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光刻機(High-NA EUV)組裝工作。來自設備領導廠ASML,目前正進行校準步驟,為未來的英特爾先進製程路線做好準備。英特爾強調,High-NA EUV將大幅提升晶片製造精度和微影能力,開啟晶片發展新紀元。  擁有業界最先進、全面的光刻工具,英特爾表示,能夠於往後五年持續推進先進製程,超越Intel 18A、邁向新里程碑。延續摩爾定律,High-NA能較目前EUV微縮1.7倍、晶片密度提升2.9倍;並且提供更高的成像對比度,從而減少每次曝光所需的光量,縮短每一層的印製時間,提高晶圓產出。  英特爾規劃於2025年的Intel 18A產品驗證中,以及Intel 14A量產中,同時使用0.33 NA EUV和High-NA EUV,以達到最佳的製程技術平衡與成本效益。英特爾更透露,已計劃購置下一代系統,產能超過每小時200片晶圓。

國際

ASML台韓營收雙減、EUV設備訂單驟降 晶片股倒地

荷蘭半導體設備業龍頭艾司摩爾(ASML Holding N.V.)接單狀況令人失望,拖累美國半導體設備類股下殺,熱門AI晶片股同步拉回。 CNBC、MarketWatch等外電報,ASML 17日公布第一季(1-3月)財報時表示,這段期間的接單額季減61%、年減4%至36億歐元(38億美元)。華爾街原本預測,A...詳全文(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

美國想引領晶片技術卻讓ASML獨大 揭背後戰略錯誤

國際

美國想引領晶片技術卻讓ASML獨大 揭背後戰略錯誤

【中時新聞網 邱怡萱】美國為了擺脫對他國的晶片依賴,力促晶片製造業回流本土,美媒撰文分析,美國曾有機會引領晶片製造技術卻錯過了機會,不只讓ASML獨大,也讓亞洲製造商台積電、三星等主導了生產。 根據MarketWatch報導,ASML在半導體產業占有關鍵地位,是目前全球唯一有能力生產微影設備極紫外光(EUV)曝光機的企業。Dilation Capital基金經理人Vijay Shilpiekandula指出,台積電、英特爾和三星之間競爭激烈,身為設備供應商的ASML處在賺取AI熱潮紅利的最佳位置。 至於美國為何會失去對EUV技術這項關鍵技術的控制權?美國財經媒體報導,主因是英特爾的的戰略錯誤,時任執行長布萊恩·科再奇(Brian Krzanich)不相信該技術能夠以經濟的規模發揮作用,因此放棄了ASML第1代 EUV機器的生產。 Brian Krzanich對於英特爾在尖端晶片製造製程方面領先於同行充滿信心,但事實證明這是1個錯誤決定,台積電使用EUV製程,在2018年左右首次在技術上超越英特爾。 英特爾執行長的季辛格(Pat Gelsinger)則希望他不會重蹈前任的覆轍,英特爾已收到ASML第一台最新型高數值孔徑EUV光刻機,在接下來幾年,英特爾打算將此系統部署到18A後的節點(1.8奈米製程)。

證券

《半導體》台積電:設備復原率逾7成 EUV等主要機台未受損

【時報記者林資傑台北報導】台灣東部近海3日上午發生深度僅15.5公里的芮氏規模7.2的淺層強震,規模為近25年最大。晶圓代工龍頭台積電(2330)晚間表示,在事發後10小時內,晶圓廠設備復原率已逾70%、晶圓18廠等新廠更已逾80%,包括所有極紫外(EUV)光刻設備等主要機台皆無受損。 此次強震於新竹、龍潭和竹南科學園區的最大震度為5級,台中和台南科學園區則為4級。台積電表示,台灣晶圓廠工安系統正常,為確保人員安全,依內部程序啟動相關預防措施,部分廠區在第一時間進行疏散,並在確認安全後回到工作崗位,詳細影響正在確認中。 基於在地震應變和災害預防上擁有豐富經驗與能力,並定期進行安全演習以確保萬全準備,台積電指出,在地震發生後僅10小時內,晶圓廠設備的復原率已超過70%,晶圓18廠等新建晶圓廠的復原率更已超過80%。 雖然部分廠區的少數設備受損並影響部分產線生產,但台積電表示,包括所有極紫外(EUV)光刻設備等主要機台皆無受損,已有資源到位以加速達到全面復原、且持續復工中,並與客戶保持密切溝通。台積電將繼續密切監控,並適時與客戶直接溝通相關影響。

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