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《科技》HBM3e 12hi面臨兩挑戰 2025年HBM是否過剩待觀察
【時報記者葉時安台北報導】記憶體寒冬將至？連AI浪潮新寵兒HBM近期也遭市場擔憂將在2025年可能供過於求，依據TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由於明年廠商能否依照期望大量轉進HBM3e仍是未知數，加上量產HBM3e 12hi的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現產能過剩態勢。目前TrendForce對DRAM產業展望維持不變，預估2025年HBM將可貢獻10%的DRAM總位元產出，較2024年成長一倍。 根據TrendForce最新調查，Samsung三星、SK hynix海力士與Micron美光已分別於2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處於持續驗證階段。其中SK hynix與Micron進度較快，有望於今年底完成驗證。 市場傳出因部分DRAM供應商積極增加矽穿孔(Through-Silicon Via, TSV)製程產能，將造成2025出現供過於求與價格下滑的可能。根據兩家韓系DRAM廠商目前的TSV產能提升計畫，Samsung將從2024年底的單月120K至2025年底增加為單月170K，提升幅度超過40%，而SK hynix在同期的月產能提升比例預估為25%。但由於廠商產品尚未完全通過驗證，產能提升規畫是否能落實有待觀察。 吳雅婷表示，從過去HBM3與HBM3e世代的量產歷程來看，當時8hi產品的良率至少歷經兩個季度的學習曲線才達到穩定，有鑑於此，當市場需求快速轉向HBM3e 12hi產品時，推測學習曲線也無法明顯縮短。此外，NVIDIA B200、GB200和AMD MI325、MI350都將採用HBM3e 12hi，由於整機造價高昂，對HBM的穩定度要求將更嚴苛，成為HBM3e 12hi量產過程的一項變數。 TrendForce預估，受AI平台積極搭載新世代HBM產品帶動，2025年的HBM需求位元將有逾80%落在HBM3e世代產品上，其中12hi的占比將超過一半，成為明年下半年AI主要競爭廠商爭相下訂的主流產品，其次則是8hi。因此，即便出現供過於求情況，推測最有可能發生在HBM2e、HBM3等舊世代產品上，至於對各DRAM供應商的影響程度，將取決於各家的產品組合。 目前TrendForce對DRAM產業展望維持不變，預估2025年HBM將可貢獻10%的DRAM總位元產出，較2024年成長一倍。由於HBM平均單價高，估計對DRAM產業總市值的貢獻度將突破30%。
輝達供應商SK海力士搶先量產最先進HBM3E 股價飆
輝達(Nvidia Corp.)供應商SK海力士(SK Hynix)宣布，已率先開始量產最先進的高頻寬記憶體(HBM)，在南韓掛牌的股票應聲大漲。 路透社、韓聯社等外電報導，SK海力士26日發布聲明宣布，全球首款最新世代的12層堆疊「HBM3E」已開始量產，容量比之前8層堆疊的HBM3E多50%。 S...詳全文（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載）
卡位輝達穩了！SK海力士開始量產全球首款12層HBM3E晶片
全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士26日宣布，最新一代12層HBM3E晶片已開始量產。SK海力士領先全球量產的HBM3E是目前容量最大的HBM（高頻寬記憶體），容量達到36GB，預計今年底前開始交貨。 SK海力士生產的8層HBM3E晶片自今年3月開始交貨，事隔僅僅6個月就開始量產12層HBM3E晶片，再次突顯SK海力士的先進技術，預計將更加鞏固SK海力士在輝達供應鏈中的地位。 自2013年推出全球首款HBM以來，SK海力士是全球唯一一家開發並供應從第一代（HBM1）到第五代（HBM3E）完整HBM產品線的公司。
3奈米HBM3E開花！創意跳空飆漲停 重返1,100元關卡
台積電轉投資ASIC（特殊應用積體電路）設計廠創意昨（24）日宣布，其開發的3奈米HBM3E（第五代高頻寬記憶體）控制器和實體層IP，已獲得雲端服務供應商（CSP）及多家高效運算（HPC）業者採用；加上近日傳出台積電CoWoS因客戶需求龐大，計畫將提前於2025年進行擴產，因此大摩將其目標價上調至1280元，激勵股價表現強勁。在雙重助攻下，帶動創意今日股價勁揚，一開盤即衝上漲停。 創意表示，目前公司的HBM3E控制器和實體層IP已被許多AI公司採用，而此款先進ASIC採用最新的9.2Gbps HBM3E記憶體技術，並預計將於今年交付生產；此外，公司也積極與其他HBM供應商，如美光（MU）合作，將應用於CoWoS-S和CoWoS-R技術上，同時更致力於開發下一代HBM4 IP，以因應未來更多元化的應用需求。 創意的HBM3E IP方案在市場上遙遙領先，並且已通過台積電先進製程技術的矽驗證，包括N7／N6、N5／N4P、N3E／N3P製程；此外，創意不僅與微軟（MSFT）、谷歌（GOOG）等CSP業者合作密切，如今更通過多個先進技術與主流廠商的驗證，並獲得多家大廠採用，顯示其已具備兼容性與穩定性。對此，行銷長Aditya Raina表示，未來將持續為人工智慧、高效能運算、網路和汽車等各種應用領域，提供技術上的支持。 不過，目前除了輝達（NVDA）、超微（AMD）等通用型GPU大廠外，HBM3E解決方案採用率並不高，但伴隨今年流片，未來將成為AI伺服器標配。創意過去長期與SK海力士合作，此次又再宣布攜手美光切入CSP，象徵在HBM三大廠中，一舉拿下兩家；隨著旗下HBM4 IP已經準備完成，市場看好有望為公司創造更大獲利。 創意延續近日來的漲勢，今日跳空開高，一開盤即攻上漲停價1170元，近逼季線，重返近一個月以來的高點。其他ASIC概念股中，芯鼎同樣以59.6元攻上漲停，重新登上月線；愛普*、神盾也漲3%，智原、晶心科、金麗科、凌陽、矽統漲1～2%，世芯-KY、威盛則小跌盤下。
創意、美光 3奈米HBM3E開花
ASIC設計服務公司創意24日宣布，其3奈米HBM3E控制器和實體層IP（Physical Layer IP）獲得雲端服務供應商（CSP）及多家高效運算（HPC）業者採用。該尖端ASIC預計將於今年流片，並搭載最新的9.2Gbps HBM3E記憶體技術；創意表示，積極與HBM供應商（如美光）合作，為下一代AI ASIC開發HBM4 IP。 創意的HBM3E IP方案在技術上領先市場，並已通過台積電先進製程技術的矽驗證，包括N7／N6、N5／N4P、N3E／N3P製程。此外，創意電子的IP亦通過所有主流HBM3供應商的矽驗證，確保其解決方案的兼容性與穩定性；公司積極與HBM記憶體供應商如美光科技合作，致力於開發下一代HBM4 IP，以應對未來更多元化的應用需求。 法人指出，創意與CSP業者合作密切，其中包含微軟、谷歌等都有協助開發ASIC經驗。推測該案為打造base die，法人分析，以9.2Gbps傳輸速度為分野，速度要更快就必須使用先進製程logic die，如果要再連接UCIe（通用小晶片互連）即要使用5奈米甚至客製化。 目前除了輝達、超微通用型GPU大廠外，HBM3E解決方案採用率不高，但伴隨今年流片，未來將成為AI伺服器標配，甚至加快往更高階之HBM4。創意於HBM4 IP已經準備完成，有望為公司創造更大獲利。 創意表示，與美光的合作證明，創意之HBM3E IP與美光HBM3E可以在CoWoS-S和CoWoS-R技術上實現9.2Gbps高頻寬記憶傳輸；現在更通過多個先進技術與主流廠商的驗證，獲多家大廠採用。創意行銷長Aditya Raina提到，未來將持續為各種應用提供支持，包括人工智慧、高效能運算、網路和汽車。
急改DRAM產線 SK海力士轉生產HBM3E
高頻寬記憶體（HBM）需求殷切，外傳SK海力士將在南韓利川半導體廠M10F改裝DRAM生產線，轉為生產第五代HBM3E，而M10F生產線啟動後，SK海力士HBM月產能可望增加至15萬片。 根據外電報導，SK海力士正在將生產DRAM的M10F產線，轉生產HBM，M10F產線將用來生產HBM3E，目標是在2025年初前，完成基礎設施建設，並從2025年第一季開始引進設備。 業界人士預估，M10F產線每月約可生產1萬片HBM，產線規模比既有HBM產線小。目前SK海力士HBM月產能約為14萬片，M10F產線正式投產後，SK海力士HBM月產能將增至15萬片。 AI已成為科技業軍備競賽，而HBM是其中最重要元件之一，AI晶片組每處理一次任務，GPU就會把資料傳送至記憶體，需要HBM的高速資料傳輸能力。 據了解，美國七大科技巨擘，包括蘋果、微軟、Google、亞馬遜、輝達、臉書及特斯拉，均向SK海力士提出供應HBM的要求，致使SK海力士積極擴充HBM產能。 考量M10F量產時間等因素，SK海力士將從2024年第四季訂設備，並將引進用於記憶體堆疊（Stacking）的封裝設備、測試設備等。 SK海力士競爭對手三星電子、美光等公司，也正在擴大HBM產量，加上長鑫存儲等中國業者宣布進軍HBM市場，SK海力士為因應此狀況，已訂下「專注量產最先進的HBM」的戰略，之後將專注開發、量產最先進HBM，並逐步淘汰舊產品。
SK海力士在HBM3E保持領先地位 12層HBM3E量產時間提早
SK海力士在HBM3E保持領先地位，該公司採用MR-MUF堆疊技術，封裝良率表現優於同業，8層HBM3E已於今年3月開始出貨給Nvidia，且公司在半導體展指出，12層HBM3E預計將於9月底量產，時間點早於原先規劃的第四季。 此外，該公司計劃將於2025年下半年推出12層HBM4，2026年推出的16層HBM4。至於16層HBM4的封裝技術，公司將決定採用原本的MR-MUF，或改採 Hybrid Bonding 以降低厚度。
加速HBM商業化腳步 SK海力士 月底量產12層HBM3E
為搶攻輝達（NVIDIA）B200／B200A商機，SK海力士社長金柱善Kim Ju-Seon（Justin Kim）4日在台指出，SK海力士聚焦於高頻寬記憶體（HBM）生產，以通過質量驗證，縮短產品上市時間，他並宣布，將於本月底量產12層HBM3E，加速HBM商業化腳步。 輝達執行長黃仁勳日前表示，次代GPU代號Rubin採HBM4將於2026年推出。全球記憶體原廠中，SK海力士搶先布局，金柱善指出，HBM4是首款基於基礎裸晶（Base die）的產品，以SK海力士先進的HBM技術搭配台積電先進代工技術，將按照客戶需求進行量產時程。 金柱善受邀來台，並進行專題演講，他提到，AI現在面臨包括電力、冷卻和記憶體頻寬需求等挑戰，其中，最大挑戰是電力短缺，預期資料中心所需電力，將是目前的兩倍，只靠可再生能源，將難以滿足需求。電力增加，也會帶來熱，因此，需要找到更高效散熱的方式。 為了推動AI技術邁向通用人工智慧（AGI），需先解決包括功耗、散熱及記憶體頻寬等核心技術。SK海力士正努力開發能效更高、功耗更低、容量更大的AI記憶體，並針對不同應用推出相對應解決方案。 SK海力士是最早生產8層HBM3E的供應商，並將在本月底開始大規模生產12層HBM3E。至於下一世代的HBM4，據稱將會開始採用台積電的先進邏輯（Logic）製程，以超細微製程基礎裸片（base die），增加更多的功能，SK海力士也能在性能和功效等方面，滿足客戶的客製化（Customized）需求。 SK海力士已在韓國龍仁市擴建新廠，預計2027年新廠將進行量產，使龍仁聚落成為最大、最先進的半導體聚落之一；同時，SK海力士計劃至美國印第安納州進行投資，2028年營運新廠，聚焦HBM先進封裝技術。
三星搶攻輝達供應鏈 HBM3E通過測試與否 內部人士這樣說
【中時新聞網 賴宇萍】受惠於AI市場的強勁需求，南韓三星電子今年第二季半導體業務營收終於超車台積電，時隔2年重新登上半導體王者寶座。近來又傳出三星第5代HBM3E記憶體晶片的8層版本已通過輝達測試，雙方即將簽訂供貨合約，預計今年第四季就會開始供貨。可是三星內部人士卻向韓媒否認了相關報導。 目前SK海力士是輝達主要HBM（高頻寬記憶體）供應商，美光也將為輝達供應HBM3E。而三星為了要鞏固在AI半導體中的主導地位，迫切需要向輝達供貨。 據路透社近日引述消息人士說法報導，三星電子第5代HBM3E記憶體晶片的8層版本已通過輝達的測試，但12層HBM3E晶片卻仍未通過輝達測試。 不過韓媒《Business Korea》卻在報導中指出，三星高層聲稱「這與事實相去甚遠」，否認了公司第5代HBM3E記憶體晶片的8層版本已通過輝達測試的報導。 三星方面向《Business Korea》表示，「我們無法證實與我們客戶相關的故事，但該報導並不屬實」。三星一位高層指出，正如公司在7月的電話會議上所言，品質測試正在進行中，自那時起並沒有任何變化。 三星在7月31日公布第二季財報的電話會議上表示，已向輝達等主要客戶提供了其HBM3E晶片8層版本產品的樣品，為增加該晶片的量產做準備，預計第三季開始量產供應。據三星預測，HBM3E晶片到了第四季，將占其HBM晶片銷量的60％。
《科技》輝達2025新品出場 HBM3e 12hi消耗比重估升至4成
【時報記者葉時安台北報導】根據TrendForce最新HBM報告，隨著AI晶片迭代，單一晶片搭載的HBM容量也明顯增加。NVIDIA輝達目前是HBM市場最大買家，預期2025年推出Blackwell Ultra、B200A等產品後，其在HBM市場的採購比重將突破70%，也拉升HBM3e 12hi消耗比重至40%。 TrendForce表示，以NVIDIA Hopper系列晶片為例，第一代H100搭載的HBM容量為80GB，而2024年放量的H200則躍升到144GB。在AI晶片與單晶片容量的成長加乘之下，對產業整體的HBM的消耗量有顯著提昇，2024年預估年增率將超過200%，2025年HBM消耗量將再翻倍。 據TrendForce近期調查供應鏈結果，NVIDIA規畫降規版B200A給OEM客戶，將採用4顆HBM3e 12hi，較其他B系列晶片搭載的數量減半。TrendForce指出，即使B200A的HBM搭載容量較小，仍不影響整體市場的HBM消耗量，因為晶片選擇多元化，有助於提高中小客戶的採購意願。 TrendForce表示，雖然SK hynix海力士、Micron美光甫於2024年第二季開始量產HBM3e，但NVIDIA H200的出貨將帶動該公司在整體HBM3e市場的消耗比重，預估2024年全年可超過60%。進入2025年，受到Blackwell平台全面搭載HBM3e、產品層數增加，以及單晶片HBM容量上升帶動，NVIDIA對HBM3e市場整體的消耗量將進一步推升至85%以上。 HBM3e 12hi是2024年下半年市場關注的重點。預計於2025年推出的Blackwell Ultra將採用8顆HBM3e 12hi，GB200亦有升級可能，再加上B200A的規畫，因此，預估2025年12hi產品在HBM3e當中的比重將提升至40%，且有機會上修。 隨著進入到HBM3e 12hi階段，技術難度也提升，驗證進度顯得更加重要，完成驗證的先後順序可能影響訂單的分配比重。目前HBM的三大供應商產品皆在驗證中，其中Samsung三星在驗證進度上領先競爭對手，積極朝提高其市占率為目標。基本上，今年產能大致底定，主要產能仍以HBM3e 8hi為主，因此，HBM3e 12hi產出增長主要仍貢獻於2025年。
緊追SK海力士、美光 三星HBM3E晶片 通過輝達測試
路透引述消息人士指出，三星電子生產的第五代高頻寬記憶體晶片（HBM3E）已通過輝達測試，可望在近日簽約，最快今年第四季開始為輝達供貨，意味著三星正一步步趕上對手SK海力士的腳步。這項消息激勵三星股價在7日收盤上漲3.0％，超越大盤的1.8％漲幅。 消息稱三星這回通過輝達測試的是8層HBM3E晶片，但三星生產的12層HBM3E尚未通過測試。 HBM是2013年問世的DRAM晶片規格，能將記憶體層層堆疊以節省空間並提高節能效率，成為AI處理器重要元件。自從輝達AI處理器需求爆量後，全球記憶體大廠積極爭取成為輝達供應商，但三星進度落後SK海力士及美光。 路透今年5月曾報導，三星自去年便努力想成為輝達HBM3供應商，無奈其生產的HBM3及HBM3E因過熱及耗電問題，遲遲無法通過輝達測試。三星為此重新調整晶片設計，終於讓HBM3在近日通過輝達測試，將應用於輝達針對中國市場推出的H20處理器。 對此消息，三星稍早聲明表示，三星產品確實依照進度測試中，目前「正與不同客戶合作測試且過程相當順利」，但並未正面回應有關輝達測試的傳聞。 半導體研究機構SemiAnalysis創辦人派特爾（Dylan Patel）表示：「三星仍在追趕HBM技術進度。儘管三星可望在第四季開始出貨8層HBM3E，但SK海力士已經要出貨12層HBM3E。」 目前SK海力士是輝達主要HBM供應商，美光也將為輝達供應HBM3E，但隨著AI需求持續擴大且HBM漸成主流，未來三星仍有許多發展空間。 三星預期今年第四季前旗下HBM晶片營收將有60％來自HBM3E。路透調查分析師估計今年上半三星DRAM部門營收約22.5兆韓元（約164億美元），其中約10％來自HBM。
傳三星8層HBM3E通過輝達驗證、估Q4開始供貨
市場傳出，三星電子(Samsung Electronics)第五代高頻寬記憶體(HBM)晶片「HBM3E」已通過輝達(Nvidia Corp.)驗證，可用於AI處理器。 路透社6日獨家引述未具名消息人士報導，三星、輝達尚未針對通過驗證的8層堆疊HBM3E敲定供應合約，但雙方應該很快就會簽約，預計今(2024)年...詳全文（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載）
傳三星HBM3E晶片通過輝達測試 可望Q4開始供貨
路透引述3名內情人士報導，三星電子生產的第五代高頻寬記憶體晶片（HBM3E）已通過輝達測試，可應用於輝達AI處理器。消息稱雙方尚未簽訂供應合約，但可望在近日簽約，最快在今年第四季開始為輝達供貨，意味著三星即將趕上對手SK海力士的腳步。 消息稱三星這回通過輝達測試的是8層HBM3E晶片，但三星生產的12層HBM3E尚未通過測試。 路透在今年5月曾引述消息報導，三星自去年起便努力想成為輝達HBM3晶片供應商，無奈三星生產的HBM3及HBM3E因過熱及耗電問題，遲遲無法通過輝達測試。三星為此重新調整晶片設計，終於讓HBM3晶片在近日通過輝達測試，將應用於中國市場的較低階處理器。
海力士谷底翻升 三星陷經營挑戰 從萬年老二到AI記憶體之王 HBM3E將成主戰場
過去三星電子長期是全球記憶體龍頭，擅長用彎道超車逼對手出局。這一次，三星電子走出十年獲利低谷後，卻發現老對手海力士已成為ＡＩ記憶體之王。 敵人的敵人，會不會變成朋友？對韓國記憶體大廠海力士和台積電來說，答案是肯定的，雙方的合作正在快速升溫。 今年4月19日，海力士宣布和台積電簽下合作備忘錄，雙方將合作開發HBM4記憶體新產品，預計於2026年正式量產，這也將是海力士的第6代HBM產品。海力士將從下一代產品開始，改用台積電邏輯製程製造HBM記憶體中的基礎晶片塊。 《財訊》雙週刊指出，目前，限制AI晶片出貨量的兩大瓶頸，除台積電的CoWoS產能不足，另一個是HBM記憶體供貨也嚴重不足。HBM指的是高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory），海力士於今年3月宣布量產HBM3E，這種新型記憶體每秒可處理1.18TB的內容，相當於236部大小為5GB的藍光影片，是全球第一個通過輝達認證的高速記憶體。由於AI運算非常需要高速記憶體，海力士的新晶片正是當紅炸子雞。 「我們的HBM產品今年已經賣光，明年也幾乎賣光，」海力士聯席首席執行官郭魯正表示，最新版的HBM3E已於去年8月送樣，今年3月開始量產。市調機構Trendforce估計，今年上半年海力士在HBM市場市占率達到9成，韓國媒體更稱海力士為「AI記憶體之王」。 外界可能都忘了，原有的記憶體之王，其實是韓國三星電子，但三星的日子卻不太好過。過去，三星被視為難以取代的記憶體巨頭，屢屢利用景氣不佳時大力投資的「彎道超車」戰術，把對手逼到破產。這一次，歷經記憶體供過於求，三星電子獲利跌落十年新低的低谷後，被彎道超車的竟是三星自己！ 最直接的證據就是三星和海力士的營業利益率。根據《財訊》雙週刊報導，2022年第2季時，三星電子半導體部門的營業利益數字超過海力士一倍以上；接著，2022年第4季，兩家公司都因產業逆風大幅下滑。但從2023年第一季開始，三星出現虧損大於海力士的狀況，2023年第4季，海力士營業利益開始轉正時，整個三星半導體部門竟仍在虧損！ 不只如此，三星在HBM技術上也落後海力士。根據路透報導，「三星顯然沒有拿到向輝達供應HBM的生意」。報導中指出，三星HBM3生產良率估計為10%至20%，但海力士則為60%至70%，今年三星傾全力開發HBM，但至今年2月才宣布開發出HBM3E 12H技術，何時通過輝達認證仍待觀察。 因此，5月23日，三星電子突然宣布半導體事業部門更換領導人，從2021年開始領導三星半導體部門的事業部長慶桂顯，外界認為原本應於明年上半年交棒，但提前至今年由全永鉉接班。而且按照慣例，換上的繼任者應較慶桂顯年輕，但是全永鉉還比慶桂顯大兩歲。全永鉉是一直待在三星記憶體部門的老將，顯示三星急於強化記憶體領域的競爭力。 屋漏偏逢連夜雨，5月10日，全國三星電子工會還宣布無限期罷工。根據韓國媒體報導，三星電子有12萬5千名員工，全國三星電子工會成員有3萬1千多人，其中9成工會會員是晶片事業部門員工。三星推算，目前有3千名員工參與罷工，工會則認為，參與罷工的成員有6千人。工會要求加薪5.6%，比原先勞資協議案中調薪5.1%的比率更高。 韓國媒體報導，全國三星電子工會表示，「罷工的目標是讓生產出現問題」，並在網路上公布計畫，要先讓較不自動化，人力需求較多的八吋生產線缺工，之後要讓平潭工廠的HBM生產線也參與罷工。韓國媒體擔心，如果罷工影響生產的穩定度，對三星電子發展晶圓代工事業將是一大打擊，若影響HBM事業發展，也會重創三星。 《財訊》雙週刊指出，記憶體巨人三星被對手超越，經營陷入挑戰，這是過去少有的狀況。因為以前傳出壞消息的多半是海力士，這家公司1983年開始跨入半導體事業，原本是現代集團旗下的電子公司。1997年亞洲金融危機爆發，韓元大幅貶值，1999年，韓國政府為了促進半導體產業競爭力，鼓勵現代電子和LG半導體合併，但LG半導體有巨額債務，合併後的新公司負債高達近1百億美元。沒想到，2001年網路泡沫後，記憶體價格崩盤，海力士剛成立就濒臨破產邊緣。 2007年，走出破產陰影的海力士開始大幅擴張產能，拉高資本支出，但遇上金融海嘯，記憶體價格連年陷入谷底，海力士再次陷入危機。2011年，SK集團宣布買下海力士股權並取得控制權。 海力士在高性能記憶體的成功，卻是源自於公司經營谷底的一個「奇想」。海力士副社長朴明宰曾在內部分享，2009年時，海力士已經預期高頻寬記憶體會持續成長，因此，海力士開始投資矽穿孔技術，四年後推出第一代HBM技術。 沒想到，產品做出來才是挑戰的開始。當時根本沒人需要這麼大頻寬的記憶體，「2010年代中後期，HBM部門被認為處境艱難，研發HBM2的過程中遇到重重困難。更嚴峻的是，市場增長趨勢遠不如預期。」朴明宰坦言，當時業界對HBM前景相當悲觀。 「堅持」成為海力士成功的基礎。因為記憶體龍頭三星原本在HBM技術上領先海力士，2018年1月就宣布量產HBM2產品。海力士同年開發出同樣產品，但到HBM3時，海力士轉為領先，搶先在2022年量產並通過輝達認證，三星卻遲至2023年底才開始供應。且根據路透報導，截至今年5月，三星的HBM3產品仍未通過輝達的認證。 《財訊》雙週刊指出，關鍵在三星和海力士都面對一個問題，當新技術開發十分困難，成本居高不下，市場又尚未出現時，還要不要繼續投資新技術。三星選擇放緩腳步，但就是這個關鍵決定，讓苦苦在後追趕的「萬年老二」海力士成為老大。現在，海力士再和台積電聯手，能否持續拉大和三星的差距，將是記憶體產業接下來最值得關切的大戲。…（本文出自《財訊》雙週刊716期） 文／林宏達
三星HBM3E 傳Q3供貨輝達
台系供應鏈近期傳出，三星的最新一代高頻寬記憶體HBM3E，將於8月通過輝達（NVIDIA）認證，並於第三季加入供貨行列。 三星對此一消息，迄今並未證實。但業界人士分析，在SK海力士、三星及美光前三大廠，擴產升級HBM製程後，記憶體總投片量將不增反減，對通用型DRAM產能排擠效應，也將逐漸顯現，將有助於DRAM價格維持漲勢。 目前SK海力士和美光是輝達的HBM3E主要供應商，並已開始出貨，而輝達對三星的HBM3E認證，據傳將於近期拍板定案，較原先預期的第四季提早。 目前記憶體除了伺服器應用外，其餘消費型產品近期的拉貨動能轉弱，但台系供應鏈預料，記憶體三大廠至少挪移約20％～30％產能生產HBM，勢將造成DRAM供應緊缺，進一步推動DRAM價格上漲。此外，前三大廠近來相繼投入資本支出升級HBM製程，但總投片量將不增反減，預期2025年產量將由144.6萬片，減少至134.6萬片。 另一方面，市場需求回復成長，據IDC預估，2024年全球手機將成長4％，達12.1億支，並在2024～2028年保持溫和2.3％的年複合成長，考量各品牌陸續推出搭載AI相關功能的產品後，對記憶體規格要求的提升，將有助推動DRAM的出貨表現。 另外，全球資料中心雨後春筍般的建置，也一定程度刺激伺服器用記憶體的需求量，而記憶體三大原廠皆表示，將持續擴大HBM產能，通用型DRAM產能受到排擠下，DRAM價格將有望保持上升趨勢。 惟業者也指出，目前下游零組件庫存已相對充足，因此預計2024年第三季價格調漲幅度將低於上半年，但整體而言，記憶體後市仍可正向看待。