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全新BMW M3 Competition ＆ 極限量全新BMW M4 CS 剽悍登場
延續BMW M4 CSL與M3 CS的熱銷氣勢，BMW 總代理汎德公司限量引進結合兩款車型精華特色的全新BMW M4 CS，外觀上大量碳纖維複合材質打造的引擎蓋、車頂及前後下擾流，提供輕量化且堅固的車身結構，更營造令人熱血澎湃的視覺效果；融合BMW GT賽車黃色日行燈的光型變化智慧LED頭燈、以紅色線條強化的專屬設計雙腎型水箱護罩，創造出令人熱血沸騰的賽車跑格。全新BMW M4 CS今年開始於德國限量生產，台灣市場將獲得珍稀限量10台配額，為追求性能與獨特性的車主提供專屬珍貴的入主選擇。 搭載3.0升M TwinPower Turbo直列六缸引擎的全新BMW M3 Competition Sedan M xDrive與BMW M3 Competition Touring M xDrive較上一代大幅增加20匹，直衝530匹德制馬力及650牛頓米的扭力輸出；搭配M Steptronic運動化八速手自排變速箱以及M xDrive跑車化可調式四輪傳動系統，BMW M3 Competition M xDrive零百加速在3.5秒(BMW M3 Competition Touring M xDrive為3.6秒)間即可完成，追求超凡性能絕不妥協。BMW M工程師為這具M TwinPower Turbo S58雙渦輪增壓引擎進行了一系列的強化升級，將新世代的3D列印工法應用於汽缸蓋的製造上，製作出傳統工法無法實現的複雜幾何形狀，使得汽缸蓋的整體重量大幅降低、水道的分佈更加理想，有效助於溫度控管。利用曲軸輕量化以及鍛造活塞及連桿的技術，強化剛性同時減輕重量，在引擎的高轉速下，能減少機械磨耗阻力同時優化引擎動力輸出。為通過嚴苛的賽道測試，在加大面積的進氣口背後，四個冷卻迴路系統中共擁有七個散熱器，使得引擎在激烈高速的操控下仍能保有最佳性能狀態。 全新BMW M3 Competition Sedan M xDrive與BMW M3 Competition Touring M xDrive搭配M Steptronic運動化八速手自排變速箱並採用Drivelogic換檔邏輯，經過BMW原廠精心調校，廣泛分布的最佳齒比設計強化了低轉速時的加速性，讓全速域加速感保持一致性的猛烈；新開發的扭力轉換器更大幅減少了不規則的滑動現象，透過駕駛模式設定，在Comfort、Sport、Sport+三種換檔模式間提供駕駛最適切而緊密順暢的換檔反應，大幅提升低速行駛時的舒適性同時降低油耗，帶來更快速流暢的彈射起步。 M高性能複合式煞車系統採前六活塞固定式卡鉗、後單活塞浮動式卡鉗配置，不僅更耐熱且抗衰竭，絕佳的制動力使全新BMW M3 Competition M xDrive與BMW M3 Competition Touring M xDrive能在安全前提下，完整展現其強悍性能，駕駛更能透過最新的駕馭模式設定，在Comfort與Sport情境下調整煞車的靈敏度與力道，無論是激烈操駕或日常行駛，皆能提供最佳操控與精確性！ BMW車型中首創的無邊框橫格柵造型的加大雙腎型水箱護罩，讓BMW M3 Competition Sedan M xDrive與BMW M3 Competition Touring M xDrive一出場即佔領所有目光視線。優美的車身肌理線條以及充滿動感賽車基因車身造型，引擎蓋延續著水箱護罩線條向上隆起，完美承襲M基因專屬的暴力美學。全新BMW M3 Competition M xDrive與BMW M3 Competition Touring M xDrive全新升級四眼造型日型燈，光型變化智慧LED頭燈為車主提供最安全便利的夜間駕駛環境。車尾處以銀色包圍的M3 Competition車型銘牌，點出全新BMW M3 Competition與眾不同的精緻細節。標準配備的前19後20吋黑色M雙輻式826M型鍛造輪圈，為爆發力十足的全新BMW M3 Competition車款提供輕量化與極佳的剛性及強韌度，喜愛嶄新造型的車主則可以選擇全新款式的銀色M雙輻式825M型鍛造輪圈，為愛車增加獨樹一格的迷人丰采。全新BMW M3 Competition Touring M xDrive的黑色高光澤車頂與車頂架使車身整體質感更為上乘，而專屬於Touring車型的後廂底板自動止滑功能、後廂安全分隔網及獨立開啟式後擋玻璃，強大的機能性與靈活空間表現輕鬆滿足車主各種需求。 進入全新BMW M3 Competition Sedan M xDrive與BMW M3 Competition Touring M xDrive駕駛座艙，M Motorsport氛圍立即竄流全身。全新造型M Nappa真皮平底方向盤含紅色12點鐘方向標記、標準配備的M碳纖維飾板含碳纖維方向盤飾蓋及碳纖維換檔撥片，為喜愛激烈操駕的車主帶來操控自如且熱血奔騰的駕馭氛圍，而喜愛賽道競技的車主們更可以選配Racing Package版本增加M專業賽道駕駛及甩尾分析系統以及M專屬碳纖維賽車桶型座椅。細緻柔軟的Sensatec皮質儀錶檯包覆全新設計儀表檯飾板搭配新式冷氣出風口氣氛燈以及後座乘客專屬的豪華型三區恆溫空調，打造兼具豪華且舒適的車室空間。全新BMW Operating System 8.5為駕駛提供更圖像式且直覺的使用邏輯，全新標配的AR擴增實境導航功能讓兼具日常使用的M3 Competition在道路行駛時擁有更精準確實的視覺化指示。 最受車迷矚目的，以BMW M4 Competition M xDrive為基礎，BMW M GmbH再度打造更為強勁敏捷的高性能跑車全新BMW M4 CS，帶著更與生俱來的競技跑魂、CS車型專屬的引擎調校與造型配備，全新BMW M4 CS完美鞏固豪華中型性能車款級距中的領導地位。全新BMW M4 CS所搭載的3.0升M TwinPower Turbo直列六缸引擎專為賽道而生，也是BMW M4 GT3賽車的引擎基礎，最大馬力可達550匹德制馬力與650牛頓米的強勁扭力輸出。充滿濃厚賽車魅力的全新BMW M4 CS採用大量碳纖維套件，輕量化結構較M4 Competition M xDrive大幅減少車身重量，加上由BMW M GmbH專屬調校的CS專屬懸吊、煞車、底盤調校及引擎動力強化，0-100公里加速僅需3.4秒，標準配備M駕駛套件最高極速可到302公里。全新BMW M4 CS導入可智慧分配前後輪動力比例的M xDrive跑車化可調式四輪傳動系統，駕駛可依路況不同自由選擇4WD, 4WD Sport或是在循跡防滑功能關閉下時純粹後驅(2WD)模式，結合位於後輪的M運動化差速器，激烈操駕時更能隨心掌控車輛動態。 全新BMW M4 CS標準配備M專業賽道駕駛暨甩尾分析系統，紀錄並分析駕駛每一次的賽道單圈秒數或甩尾角度；領先同級距車款的創新科技十段式牽引力控制系統，讓駕駛循序漸進地掌握強大的動力輸出。BMW M GmbH為BMW M4 CS提供專屬的車體強化結構及底盤調校設定，標準配備的M碳纖維陶瓷煞車系統及專屬鈦合金排氣系統，除了大幅減少車身重量，更為BMW M4 CS提供更穩定且極致的效能表現。 想要體驗征服賽道的快感同時兼顧生活使用的細節，全新BMW M4 CS提供車主更多元化的選擇。BMW M4 CS外型設計傳承經典絕美的BMW M4 CSL，碳纖維複合材質打造的引擎蓋、車頂、前進氣口、前後下擾流、後視鏡蓋以及擾流尾翼等，提供輕量化且堅固的車身結構，光型變化智慧LED頭燈及黃色日行燈完美承襲BMW GT賽車外貌，被紅色線條包圍的CS專屬造型雙腎型水箱護罩，更營造如嗜血猛獸般的迅捷意象。前19後20吋827 瓷煞車系統提供最直接的煞車反應，除了更為輕量化，其防腐蝕、耐高溫、抗磨損的特性，讓BMW M4 CS無論在一般道路和賽道上都能展現令人屏息的優異表現。 全新BMW M4 CS提供四種外觀車色，其中Riviera Blue及Frozen Isle of Man Green皆為BMW Individual的獨特車色，喜愛低調經典的車主也可以選擇Black Sapphire Metallic或M Brooklyn Grey Metallic。CS車款專屬的紅、黑配色車室空間使用Full-Leather Merino全真皮內裝，為充滿熱血M語彙的駕駛座艙增添豪華精緻的頂級質感。M碳纖維賽車桶型座椅包含專屬CS發光字樣，除了提供駕駛安全穩定的保護及增加激烈操控時的靈活反應，同時擁有加熱與電動調整等實用功能，全新M Alcantara麂皮平底方向盤搭配紅色12點鐘方向標記，點燃駕駛對於激情與速度的熱切渴望。碳纖維複合材質同樣也應用在全新BMW M4 CS內裝，碳纖維換檔撥片、M碳纖維飾板、碳纖維中央鞍座及M碳纖維賽車桶型座椅，輕量化的設計同時營造更熱血澎湃的駕馭氛圍。 忠於駕駛導向的懸浮式曲面螢幕由12.3吋虛擬數位儀錶及14.9吋中控觸控螢幕組成，搭配BMW M專屬介面的BMW Operating System 8.5系統及M車況抬頭顯示器，清楚且即時地呈現駕駛所需的各項資訊。為使極致性能與日常生活完美融合，全新BMW M4 CS標準配備多項主動安全系統、停車輔助系統、電動行李廂啟閉系統及harman/kardon高傳真音響系統，提供車主更全方位的防護與便利舒適的駕馭模式。
《半導體》外資看好創意HBM4潛力 續喊加碼、上看1680
【時報記者王逸芯台北報導】美系外資針對創意(3443)發布最新研究報告，看好創意在HBM4潛力可期，對創意維持「加碼」評等，目標價1680元。 美系外資表示，創意在本周三股價攻上漲停，主要原因是創意3奈米HBM3e IP被某主要雲端服務供應商(CSP)客戶採用，並且該ASIC(客製化晶片)晶片有望在今年內完成流片。美系外資表示，根據創意所釋出的訊息，並結合此前的研究分析，推估創意該客戶很可能是微軟，專案涉及其3奈米Maia v2 AI加速器，創意將於2025年下半年提供全方位的晶片代工服務。不過，根據目前的解，此專案並不包括HBM基底晶片的客製化服務。 至於創意與SK海力士相關的HBM4基底晶片客製化機會，美系外資表示，這將在SK海力士和AMD完成原型製作後進行，屆時雲端服務供應商客戶將在台積電(2330)5奈米製程下定制其專屬版本。這些客製化服務是否會使用創意的設計服務，決策預計將在今年年底或2025年初做出。 最後，美系外資表示，目前對創意維持「加碼」評等，目標價1680元，尤其看好其在HBM4專案中獲勝的潛力，因為SK海力士可能無法負擔所有客製化工作，創意將有機會在其中扮演重要角色。
震撼彈！三星將攜手台積打造HBM4 挑戰SK海力士
【中時新聞網 吳美觀】半導體界震撼彈！南韓三星傳出將攜手台積電共同開發最新高頻寬記憶體「HBM4」。此舉不僅回應了輝達等人工智慧（AI）晶片大廠的迫切需求，同時也是三星向SK海力士發出挑戰的宣示。倘若這項傳聞屬實，將是台韓半導體巨頭首次於AI領域強強聯手，產業競爭版圖勢必重新洗牌。 韓國經濟日報、BusinessKorea報導，三星記憶體業務部門負責人李禎培（Jung-Bae Lee）正在台灣參加國際半導體展「SEMICON Taiwan 2024」執行長峰會，他強調單純仰賴傳統記憶體製程無法顯著提升HBM效能，客製化 HBM 才是在此領域獲得突破的關鍵。 李禎培透露，三星正尋求與其他公司合作，利用其他晶圓代工廠的產能，提供客戶20多種客製化解決方案。 台積電生態與聯盟管理負責人Dan Kochpatcharin 5日在《SEMICON Taiwan 2024》表示，三星與台積電正在共同研發一款無緩衝（bufferless）的HBM4晶片。他說，隨著記憶體製程日益複雜，與合作夥伴的密切合作變得前所未有的重要。 分析人士指出，倘若三星與台積電決定攜手研發無緩衝HBM4記憶體，將是兩家全球半導體巨頭在人工智慧（AI）晶片領域的首次合作。 業界消息指出，三星、台積電將從從第六代HBM4開始晶片研發。三星預計於明年下半年量產HBM4，台韓兩大廠將為輝達、Google等大客戶提供客製化晶片解決方案和完善服務。 在記憶體市場的激烈競爭中，三星正全力追趕HBM領域的龍頭SK海力士。據產業研究機構集邦科技的數據，SK海力士目前在HBM市場上取得53%的市占率，而三星則緊追在後，市占率為35%。 SK海力士早在今年4月就宣布與台積電展開合作，預計於2026年量產下一代記憶體晶片HBM4。隨著業界對HBM需求的不斷攀升，三星和SK海力士之間的競爭勢必將更加激烈。
三星、台積電將共同研發HBM4 韓媒：史上頭一遭
三星電子(Samsung Electronics Co.)打算跟晶圓代工競爭對手台積電(2330)合作，一同開發次世代AI用高頻寬記憶體「HBM4」。 韓國經濟日報、BusinessKorea 5日報導，台積電生態與聯盟管理負責人Dan Kochpatcharin 5日在《SEMICON Taiwan 2024...詳全文（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載）
祥碩USB4主控端晶片ASM4242 獲Thunderbolt™ 4認證
祥碩的USB4主控端晶片ASM4242，繼2024年年初取得USB協會（USB-IF）認證後，再度榮獲Thunderbolt™ 4認證，為全球少數擁有獨立型USB4及Thunderbolt™ 4雙認證的主控端晶片，提供更全面的高速傳輸解決方案，創造更優異的終端使用者體驗。 Thunderbolt™ 4認證代表祥碩ASM4242在訊號品質、相容性、可靠度等方面皆符合Thunderbolt™嚴格標準，確保卓越的連接穩定性和兼容性。Thunderbolt™ 4與USB4 完全相容，單一介面整合電源、資料傳輸和視訊顯示，提供達40 Gbps的頻寬，滿足高速檔案傳輸、100W快充和多螢幕顯示需求。單一纜線串接最多達5個裝置，驅動高頻寬資料、電源和影片傳輸。遊戲玩家、創作者和工作者可透過強大的連線標準連接多部顯示器和配件，享受潔淨便利的桌面空間。
SK海力士HBM4 10月投片
韓國SK海力士第六代高頻寬記憶體（HBM）-HBM4，即將設計完成，預計在10月投片，2025年下半年量產。該公司計畫，供貨輝達（Nvidia）AI晶片的HBM4，以及超微（AMD）AI晶片的HBM4。 SK海力士新一代HBM4記憶體，將在2025年下半年開始量產，這使得10月份的投片，成為該記憶體晶片的最後準備階段，顯示晶片設計基本已完成，開始試產，待完成最後驗證，以進行量產。 目前SK海力士是輝達AI晶片的重要HBM記憶體供應商，而且在幾個月前，也已經率先提供HBM3E記憶體。 HBM4記憶體則是下一個重要的技術節點，可提供更快的傳輸速度，因應更強大性能和能耗的市場需求。 根據相關報導表示，就HBM4與HBM3E相較，位元寬度直接翻倍，從1024位元提升至2048位元，提升了數據傳輸寬，這對新一代AI晶片來說非常重要。 另外，HBM4堆疊16個DRAM，而HBM3E則為12個，在支援24Gb和32Gb的顆粒情況下，讓HBM4單顆晶片堆疊容量達到64GB，而HBM3E只有32GB。 SK海力士承諾，未來將提供較現有HBM高20到30倍性能的產品，此舉將加大市場競爭程度，因為三星也計畫在下一季推出HBM4記憶體。 雖然，三星未像SK海力士迅速通過HBM3E記憶體的品質驗證，但在新一代的HBM4記憶體的競爭上，三星將是SK海力士的重要競爭對手。三星具有量產能力，輝達和AMD期待能藉由三星的供應，降低供不應求的風險，因應市場的需求。 根據TrendForce最新HBM報告，隨著AI晶片迭代，單一晶片搭載的HBM容量，也明顯增加。輝達目前是HBM市場最大買家，預期2025年推出Blackwell Ultra、B200A等產品後，其在HBM市場的採購比重，將突破70％。
軟硬兼施拚AI，要把安卓粉變果粉 蘋果i 16、M4晶片Mac 記憶體大升級
iPhone 16將在台灣時間9月10日亮相，自今年以來，蘋果的AI戰略可說是軟硬兼施，不僅在WWDC（全球開發者大會）大秀Apple intelligence，展現其軟體部分布局成果，硬體上也不斷加碼升級，如推出M4處理器，以及iPhone 16將全面採用A18晶片。 更重要的是，許久未改變的記憶體容量也跟著加大，iPhone 16全系列增加至8GB，接下來的M4晶片Mac，記憶體也傳出將從16GB起跳，在在顯示蘋果進軍AI市場決心，欲發展更多AI應用吸引消費者青睞，反攻安卓市場。 在今年6月的WWDC大會上，蘋果發表Apple Intelligence，並展示了各種AI應用；然而，該系統僅支援iPhone 15 Pro、Pro Max及之後的新機種，平板和電腦同樣也是部分才可使用；這似乎不太符合蘋果過往在嘗試、推出任何新功能時，都盡可能讓新功能支援舊型設備的宗旨。 對此，蘋果高層曾透露，Apple intelligence理論上可在更舊的機型上運行，但是速度將非常慢，主要是大型語言模型的推論、運算需求高得驚人，而這需要更大的頻寬、NPU和更強處理器效能，同時，記憶體對AI應用來說也有著關鍵作用。 因此，硬體升級對於蘋果而言也是AI策略的重要一環，不僅祭出新晶片，也同步升級產品記憶體規格。 iPhone 16全系列預計搭載8GB記憶體，是自2017年iPhone X以來首次針對全系列機型進行記憶體容量提升，另近日也傳出，M4 Mac都將具備16GB或32GB記憶體，打破蘋果2016以來記憶體皆為8GB的規格。 電腦周邊業者指出，相關內容皆顯示蘋果已為了龐大的AI運算做好準備，以提升終端裝備的多工處理效能，希望能藉此吸引更多消費者，尤其追求高效、智慧化體驗的用戶；此一策略也反映蘋果對安卓市場的反攻決心，試圖透過更完善的AI功能和生態系統，將安卓用戶轉化為蘋果用戶。
技術準備好了 創意HBM4只欠東風
HBM4（第六代高頻寬記憶體）成為次世代CSP（雲端服務供應商）算力突破關鍵，創意表示，為配合HBM4發展，IP（矽智財）已經準備好，待CSP業者製程跟進。 創意指出，高頻寬記憶體從HBM2、HBM3技術推升，目前市占較高的HBM die（晶粒）為SK海力士，未來速度要從10G再提升，就必須使用用台積電的Logic die（邏輯晶粒）才能支援。 創意分析，如果未來客戶需要將通用型HBM4放在ASIC（特用IC），創意可以協助。商機在於HBM4之UCIe與外部對接，以不同的I／O做成base die，公司已掌握相關技術。創意強調，針對HBM4開發，IP（矽智財）已經準備好，待CSP業者製成跟進。現階段CSP正在量產的ASIC仍使用HBM2或2e，HBM3則處於RD階段；因此HBM4搭配UCIe使用機會少。公司坦言，現階段無法扮演任何角色，需要等待CSP業者大規模採用，並加入成本考量，屆時創意將有望協助相關CSP業者設計，就看什麼時候有客戶。 利基點在於HBM4互連技術，創意透露，部分EDA業者也有UCIe技術，但主要提供IP vendor（供應商），設計服務較少；另外，儘管同業也有能力進行，不過缺乏相關IP技術支援，規格恐無法進行微調。目前HBM4所使用的通用型base die，海力士有相關技術能力，然而當進階至5奈米或更先進製程時，就必須仰賴外部設計服務業者。 法人認為，算力推進速度將加快，以谷歌預計於今年底推出之第六代TPU來看，已經是台積電4奈米製程，並基於Arm架構設計，Meta即將推出的MTIAv2 則為台積電5奈米，更低的功耗、搭配更大片的內外存容量，將是自研晶片趨勢。 創意指出，除了CSP外，自駕車ADAS對記憶體需求也相當龐大，主要在影像辨識傳輸高速需求；先前法說提及之NRE（委託設計）即是協助車用大廠。進一步分析，ASIC於車用逐步受到重視，智慧感測器、 GPS和雷達逐漸走向整合，以系統單晶片來處理自動駕駛系統所需的海量資料。
蘋果有望推史上最小Mac電腦 搭載M4晶片迎AI
蘋果秋季發表會料將於9月登場，外媒8日引述知情人士報導，蘋果將會發布新款Mac Mini，不僅將搭載最新的蘋果自研M4和M4 Pro晶片，更會是該公司有史以來體積最小的電腦。 據悉， Mac Mini桌上型電將迎來2010年以來的首次重大設計變革，體積會比前代產品更小、更接近Apple TV機上盒的大小，參與開發的工作人員更稱其「本質上是裝在小盒子裡的iPad Pro」，屆時不僅會是蘋果Mac電腦裡的最小款，也將成為世界上最小的桌上型電腦。 知情人士透露，新款Mac Mini會有兩種版本，其一是搭載M4晶片的基本款，另一款是高階版，採用尚未發表的M4 Pro晶片，有更龐大記憶體和更優秀的圖片處理能力，在蘋果內部代號皆為「J773」。 綜合外媒報導，蘋果計劃將所有Mac電腦型號都升級成最新款M4晶片。而今年秋季伴隨Mac Mini一起推出的，還有搭載M4晶片的iMac桌上型電腦和MacBook Pro高階筆電產品線。 分析師指出，蘋果大規模將Mac電腦產品線全面升級成支援AI處理能力的M4晶片，象徵著該公司發展的重要里程碑，這將是該公司首次在所有Mac型號中採用同一代晶片。 繼今年推出搭載M4晶片的Mac Mini、iMac和MacBook Pro後，明年春季有望推出配有M4晶片的MacBook Air筆記型電腦，明年中旬則是推出搭載M4晶片的Mac Pro和Mac Studio。 市場預估，蘋果將會宣傳M4晶片為公司迄今最強大的神經引擎，為全新AI功能提供必要的處理能力，冀能藉此重振Mac電腦的市場需求。 Mac Mini的消息傳出後，蘋果周四股價上漲收紅1.66％，收在213.31美元，連漲二日，收復上周五以來近半跌幅。
抗台積 三星要用4奈米產HBM4
《韓國經濟日報》報導，三星電子為了在AI市場扳回一城，打算以4奈米製程量產第六代HBM4高頻寬記憶體晶片，結合自家晶片設計與代工製造的優勢，來對抗SK海力士與台積電結盟勢力。 據了解，三星將使用4奈米製程來量產第六代HBM4晶片的邏輯晶粒（logic die），也就是HBM晶片堆疊的底層，是HBM晶片的核心元件。 目前為止，三星、SK海力士及其他記憶體晶片大廠在生產最新HBM3E晶片時，都自行包辦所有元件生產，但第六代HBM4晶片需要依照客戶需求進行客製化，因此以先進製程生產邏輯晶粒才能讓HBM4晶片包含更多客製功能。 4奈米製程是三星目前主打的先進製程，良率超過70％。三星旗艦AI手機Galaxy S內建的核心晶片Exynos 2400就是採用4奈米製程生產。 目前三星採用10奈米製程生產HBM3E，因此外界原先預期三星會採用7奈米或8奈米製程生產HBM4邏輯晶粒。三星7奈米製程自2019年開始營運，技術趨近成熟。 消息人士表示雖然4奈米製程成本較高，但晶片性能和功耗也更上一層樓，因此三星決定靠4奈米製程來與SK海力士及台積電一較高下。 目前在AI加速器市場握有80％以上市占率的輝達，由SK海力士獨家供應第四代HBM3晶片。今年4月SK海力士和台積電簽訂合作備忘錄，聯手優化HBM產品與CoWoS技術融合，預期在2026年量產HBM4。 三星發言人表示：「三星與台積電、SK海力士不同，因為我們有自家晶片設計師參與HBM4生產，形成獨特的優勢。」 但SK海力士也不甘示弱，據傳近日已決定和台積電在原先規劃的12奈米製程外，額外增加5奈米製程來生產HBM4邏輯晶粒。
對抗台積電＋SK海力士聯盟 三星傳使用4奈米量產HBM4
韓媒報導，三星電子（Samsung Electronics）計劃以4奈米製程量產第六代高頻寬記憶體「HBM4」，利用其設計和製造代工的優勢來對抗台積電與SK海力士的聯盟。 《韓國經濟日報》引述業內消息人士表示，三星將使用4奈米製程來量產第六代HBM4晶片的邏輯晶粒（logic die）。邏輯晶粒位於晶片堆疊的底部，是HBM內最底層的基礎晶片，也是控制DRAM的HBM晶片核心組成關鍵。雖然一直到HBM3E，三星、SK海力士等記憶體大廠都自行生產HBM的所有部份，但HBM4需要製造能夠滿足客戶需求的客製化產品，而邏輯晶粒如果採用先進製程，可以包含更多的運算功能，因此需要引入先進晶圓代工技術。 報導稱，4奈米現在是三星主打的先進製程，其良率超過70%，三星還使用其4奈米製程來生產自家AI旗艦機Galaxy S24系列的核心晶片Exynos 2400。 原本市場預期三星會使用7奈米或8奈米製程來生產HBM4的邏輯晶粒，但消息人士表示：「儘管4奈米製程比7、8奈米的成本更高，但在晶片性能和功耗方面有顯著優勢。目前，三星利用10奈米製程生產HBM3E，但HBM4卻要透過4奈米製程量產，主要目的在取得HBM領域的領先優勢。」 三星計畫從設計階段就開始優化邏輯晶粒，以及由系統LSI部門最大化HBM4晶片的性能。三星高層表示：「與台積電和SK海力士不同，我們的獨特優勢在於晶片設計師參與HBM4的生產。」三星期望開發配高性能邏輯晶粒的HBM4，能夠打敗競爭對手，藉此搶奪HBM市場。據傳，為了因應三星行動，台積電與SK海力士已決定在原先規劃的12奈米製程外，額外增加5奈米製程來生產HBM4邏輯晶粒。 今年4月，台積電與SK海力士簽訂合作備忘錄，聯手優化HBM產品與CoWoS技術融合，並預期在2026年量產HBM4。SK海力士現在是AI晶片龍頭輝達的HBM3唯一供應商，目前三星在HBM的進度與市占上都落後SK海力士。
三星傳以4奈米量產HBM4 對抗SK海力士/台積聯盟
市場謠傳，三星電子(Samsung Electronics Co.)準備以先進4奈米製程量產次世代高頻寬記憶體「HBM4」。 《韓國經濟日報》15日引述未具名消息人士報導，三星準備運用4奈米製程，量產第六代HBM4的邏輯晶粒(logic die)。邏輯晶粒位於晶粒堆疊的最底層，為HBM的核心元件。 記...詳全文（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載）
《半導體》1310→2300 創意迎HBM4大商機 外資狂升目標價
【時報記者王逸芯台北報導】外資針對創意(3443)出具最新研究報告，看好創意2026年將迎來下一代HBM(高頻寬記憶體)大商機，且今年也可望有虛擬貨幣NRE(委託設計)進入量產的額外驚喜，故將創意目標價一口氣由1310元調升到2300元、評等調升至買進。 亞系外資表示，看好下一代HBM對創意來說是一個機會，因為創意提供存儲晶片製造商SK海力士的基礎晶元設計，估計HBM4基礎晶片將可以貢獻創意2026年2~2.5億美元的營收、佔總營收的14%，這是透過20億美元的TAM(整體潛在市場)規模計算得出的。相信下一代寬頻記憶體HBM4將為創意提供額外的潛在市場規模。 亞系外資表示，存儲晶片製造商SK海力士正在從HBM3遷移到HBM4規格的過程中，創意具有相關的領先技術，目前創意並正在與SK海力士進行談判中，以利製造SK海力士需要的HBM基礎模具設計。整體來說，預計創意HBM基礎模具專案將在2026年迎來重大提升。 亞系外資表示，創意長期增長動能為HBM基模，但上半年面臨短線庫存消化，預計下半年可望恢復正常，儘管創意管理階層預估，2024年營收年增長個位數，但仍看好創意可望有進一步的訂單貢獻，包括虛擬貨幣NRE的量產，都有機會為創意帶來驚喜，故將創意目標價由1310元調升到2300元、評等調升至買進。
深耕HBM4露曙光 創意拚AI
ASIC大廠創意（3443）16日舉行股東會，董事長曾繁城指出，儘管總經情勢仍不佳、消費型電子仍有雜音，然整體仍將有所成長；總經理戴尚義表示，受惠AI、HPC熱潮、新興應用不減，創意營運長期成長動能無虞。法人透露，創意深耕之次世代HBM4已漸露曙光、第二季將有好消息，另外，加密貨幣ASIC委託設計專案將陸續挹注營收，未來有望逐季成長。 進軍AI市場，創意去年第三季為6奈米高效能運算客戶完成設計定案，預計於今年進入量產；另外，領先業界之HBM IP，搭配DRAM大廠之12Hi HBM3與HBM3E皆已於去年底完成矽驗證，今年將有5奈米AI客戶採用HBM3記憶體進入量產。法人透露，創意已與大廠開始合作HBM4之IP、遙遙領先競爭對手。 法人指出，創意今年在各領域晶片將大有斬獲，包括光通訊晶片，5奈米長距離、整合56G高速SerDes，於去年第四季完成設計定案，今年進入量產；2.5D CoWoS也已陸續協助多個客戶進入量產。 戴尚義指出，國際地緣政治因素持續干擾消費性市場，部分產品仍在消化當中，不過半導體產業則因為AI、高效能運算（HPC）等應用而相對成長；創意緊跟AI發展，營運成長動能不減，達到連續兩年賺進兩個股本之亮眼業績。 2023年合併營收達262.41億元，連續四年締新高，每股稅後純益（EPS）26.18元，亦為歷史次高表現。 戴尚義分析，委託設計（NRE）與量產業務都維持成長，儘管有客戶之5奈米製程NRE專案遞延情況，然相信未來仍有機會服務該客戶，挹注營運表現。 2024年由輝達引發的AI浪潮，設備應用需求大增，戴尚義持續看好系統及品牌大廠頭自自行開發客製化IC，創意ASIC委託設計案件需求暢旺、商機不斷。 瞄準難度相對高，但具備護城河之矽智財發展，是創意維持穩健獲利之方法。戴尚義強調，對中長期營運仍具備信心，創意不與客戶競爭、不發展自有品牌，但掌握核心技術，與客戶共同成長。
SK海力士加速HBM4E研發拚2026量產 比原訂早一年
SK海力士(SK hynix)最新一代記憶體產品HBM4E醞釀中，2026年有望量產，比原先預估的時程提早約一年。 韓媒《The Elec》報導，在生成式AI商機推動下，AI伺服器需求爆發，HBM成為搶手貨。率先量產HBM3E(第五代HBM)的SK海力士穩坐「HBM一哥」，目前正加速研發HBM4E腳步，試圖甩開三星...詳全文（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載）