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CoWoS、FOPLP、SoIC...先進封裝暢旺 半導體新主流換「他們」上
推動半導體產業持續發展，為當前全球科技業的核心議題。科技業看好未來幾年技術持續推進，尤其CoWoS看不到供需平衡、面板級扇出型封裝（FOPLP）與SoIC，帶動先進封裝技術發展方向的形式確立，未來三年內，先進封裝設備廠的產業需求及接單情況樂觀。受此影響，建廠時間大幅壓縮至一年半完成，相關台廠上半年獲利呈現倍數成長。 台積電先進封裝產能吃緊，是近二年來半導體業界緊盯的產業脈動指標。台積電高層日前公開表示，確定到2026年，都會高速擴充先進封裝產能，蓋廠速度會加速推進，以CoWoS產能來說，過去約三至五年蓋一個廠，現已縮短到二年內甚至一年半就要完成，以因應市場強勁的需求。 目前台廠先進封裝設備廠也各擅勝場，主要包括弘塑的晶圓清洗、去光阻及金屬蝕刻；均華核心技術為精密取放，尤其晶片挑揀機；辛耘主要供應批次濕式清洗機台、單晶圓旋轉清洗機；萬潤主要產品為點膠機、AOI、植散熱片壓合機。 以上半年的業績來看，弘塑、辛耘、萬潤、均華都繳出較去年成長的成績，各廠均釋出下半年業績可望優於上半年的最新展望，萬潤上半年每股獲利年成長逾8倍，均華也逾3倍，近日各廠公告8月營收大致維持歷史高檔水準，第三季均業績有望再攀高。以全年來看這幾家先進封裝設備廠今年營收及獲利均可望挑戰歷史新高，且明年營運展望也將持續樂觀。 先進封裝技術除CoWoS外，業界關注的焦點還有面板級扇出型封裝（FOPLP）。半導體業者指出，由於AI晶片尺寸比過往來得更大，FOPLP就發展出510x515mm、600x600mm等較大規格，FOPLP主要用於成熟製程為主的車用、物聯網的電源管理IC等，兩種封裝技術的應用有所區隔，預見未來市場需求都將快速成長。 TrendForce報告也指出，受惠於全球AI需求快速成長，各大半導體廠持續提高先進封裝產能，預估2024年先進封裝設備銷售年增率，有機會達到10％以上，2025年更可突破20％，加上台積電等一線晶圓代工廠計畫性的培植本土業者，以降低成本並建立能互信的在地供應鏈，先進封裝將成為台灣封裝設備廠的營運動能新來源。
生活
首爾米其林二星SOIGNE餐廳主廚李駿 9／27起客座台北喜來登安東廳
自2017年起獲頒米其林一星殊榮、2023年晉升首爾米其林二星的韓國現代料理餐廳「SOIGNE'」主廚李駿（Lee Jun），將於9月27日至9月29日客座台北喜來登大飯店二樓「安東廳」，並推出星光饗宴，包括9／27 （五）晚宴、9／28（六）午晚宴、9／29（日）午晚宴共四個餐期，午間套餐每位5,880元＋10％、晚間套餐每位6,880元＋10％、含精選佐餐酒或茶品，每場限量40席次。 「SOIGNE'」餐廳以致敬在地風土的現代韓國料理在國際間嶄露鋒芒，更將韓國食療與節氣等意涵結合於料理中，本次客座將帶來以韓食為本、注入現代創意演繹的經典饗宴。 李駿於韓國京畿大學烹飪藝術專業畢業，2010年前往有著「餐飲圈神級殿堂」的美國廚藝學院（Culinary Institute of America）深造。SOIGNE'在法文為「完美達成」之意，亦是李駿在美求學期間因其高執行力與追求完美而獲此綽號。他曾跟隨紐約米其林三星、世界排名第六的Per Se餐廳名廚Thomas Keller研習，並協助其餐廳主廚Jonathan Benno創立米其林義大利餐廳 Lincoln。 2013年李駿在首爾開設了第一家個人餐廳 「SOIGNE'」，以韓食為本位結合韓國食療與節氣等飲食文化，2017年開啟他的第一顆米其林星星之旅。餐廳每季菜單以Episode為名，將來自朝鮮半島的山海田野食材，融合歐洲與美國等西方料理技法，象徵將全世界的美食匯集於首爾，同時也體現出李駿對於家鄉的濃厚情感，為賓客演繹出一道道訴說大韓故事的現代風格料理。 本次客座饗宴李駿主廚將以思想（Mind）、傳承（Heritage）和混搭（Mix and Match）為概念，從飲食習慣上拆解出人們對於氣候與地域的食材認知，並透過歷史傳承的智慧與經歷，將大眾熟悉的韓國料理以他獨特的西方烹飪形式混搭呈現，為賓客傳遞當代韓國的精緻餐飲文化。
台積電首拋！「晶圓製造2.0」是什麼？跟輝達有關？受惠廠商有哪些？一文解析
台積電董事長暨總裁魏哲家18日提出「晶圓製造2.0」架構，重新為晶圓產業定調！台積電強調，2.0戰略涵概了半導體封裝、測試、光罩製作與其他，以及所有除了記憶體製造之外的整合元件製造商，然台積電依舊專注於最先進的後段技術。 晶圓代工版圖變大 業界人士透露，晶圓製造2.0大框架重新定義產業下世代里程碑，除了納入更多專業封測代工廠（OSAT）、光罩業者支援外，並對全球反壟斷及晶片關稅等議題提前布下防護網。 台積電指出，此新定義將更充分反映公司不斷擴展的未來市場機會（addressable market），根據2.0定義，晶圓製造產業的規模在2023年將近2,500億美元，相較於之前的定義的1,150億美元，規模不同；預估2024年晶圓製造產業年增近1成，也讓晶圓製造的版圖完整呈現。 財務長暨發言人黃仁昭表示，重新定義晶圓代工原因在於，受到國際IDM業者要介入代工市場，使得界線逐漸模糊；另一方面，台積亦不斷擴大自身在晶圓代工影響力，尤其是先進封裝領域，因此，擴大晶圓製造產業初始定義到晶圓製造2.0。台積電也重申，會專注最先進後段技術，協助客戶打造前瞻性產品。 將聚焦先進後段技術 市場人士觀察，此舉也可視為台積電提前因應未來各項風險準備，最大好處在於避免落入市場壟斷及出口關稅等風險。根據研調機構數據所示，因晶圓代工2.0架構，台積電第一季市占率高達61.7％，不過在納入封測、光罩等範圍後，台積電估計，於2023年晶圓代工業務市占率下降至28％、跌破3成水準。 此外，法國競爭管理局正對輝達疑似反競爭行為展開調查，法人指出，半導體產業反壟斷壓力浮現，台積電或許是以客戶為借鏡，重新定義晶圓代工的標準，並讓晶圓製造產業完整呈現。 晶片製造需打團體戰 半導體業者表示，台積電因應AI時代所做轉型，從單打獨鬥至開放創新平台（OIP）大聯盟，足見晶片製造已非單一公司所能達成，半導體產業從晶圓製造、封測、載板等皆為提升AI晶片效能關鍵，伴隨持續在先進封裝領域爆發力。 業者指出，CoWoS、SoIC、FOPLP等新型態封裝未來勢必成為後摩爾定律新戰場，晶圓製造架構的確有重新框架的必要性。
環球晶美國補貼有譜 外資目標價喊上這數字
【時報記者任珮云台北報導】環球晶(6488)昨傍晚宣布，美國商務部計劃向GWA和MEMC LLC提供高達4億美元的直接資金補助，約占GWA總投資5億美元的8%。針對此，外資最新出具報告指出，我們認為是一個驚喜，因為這相當於CHIPS和Science法案下領先節點晶圓廠的比例。在工廠完工後，環球晶將成為美國半導體供應鏈中的重要供應商，提供首個12吋先進矽晶圓和12吋絕緣矽晶圓（SOI）。 外資重申環球晶買入評級，目標價為630元。以環球晶目前15倍/12倍的2024/25預期本益比，相較於歷史7倍至31倍的估值範圍，具有吸引力。 環球晶董事長徐秀蘭昨天記者會時也表示，除了獲美國聯邦政府直接補助資金外，環球晶圓還計劃申請美國財政部的先進製造投資稅收抵免（AMIC），高達GWA和MEMC LLC設施合格支出的25%。外資點出，環球晶圓在台灣半導體領域中，股價是落後者，其股價年初至今下跌2%，而台灣加權指數上漲了33%。 外資表示，矽晶圓在半導體領域中是最後修正的，我們認為這一領域有望受益於AI的結構性上升，這在估值中尚未得到充分反映。我們一直對環球晶圓持正面看法，預計將從2024年底開始復甦。市場對環球晶圓的主要擔憂是：1）其美國工廠擴建帶來的負擔增加；2）矽晶圓庫存水平。但總而言之，美國新宣布的補貼對投資圈來說是個驚喜，這有望緩解環球晶圓美國子公司（GWA）的利潤壓力。 環球晶管理層在2024年第一季度的財報中表示，政府支持可以減輕負擔，並提升GWA的毛利潤，因為這是美國唯一能供應先進節點晶圓的工廠。外資指出，由於2024年下半年記憶體製造商和晶圓代工廠利用率的提高，得益於AI的強勁需求，矽晶圓的庫存補充可能會從2024年底開始。 環球晶此次拿到的4億美元補助，除了德州建廠外，也同時宣布擴充位於密蘇里州的12吋SOI矽晶圓產能，這也是美國唯一一座12吋SOI工廠。徐秀蘭補充，環球晶在2016年買下MEMC，它當時總部就位於密蘇里州，並擁有8吋SOI矽晶圓產線與技術團隊，工廠腹地也相當廣闊，因此當討論擴產時，就決定在旁邊再建一條12吋的SOI產線，很多關鍵應用的元件，如矽光子、FDSOI等都需要採用SOI矽晶圓，也因為環球晶在美國生產，得以讓整體供應鏈建構完善。
台積2奈米、SoIC 蘋果搶頭香
台積電2奈米先進製程及3D先進封裝同獲蘋果大單！業者傳出，台積電2奈米製程傳本周試產，蘋果將拿下2025年首波產能外，下世代3D先進封裝平台SoIC（系統整合晶片）也規劃於M5晶片導入該封裝技術並展開量產，2026年預定SoIC產能將出現數倍以上成長。 半導體業者指出，隨SoC（系統單晶片）愈做愈大，未來12吋晶圓恐僅能擺一顆晶片也不為過，但這對晶圓代工廠良率及產能均是極大挑戰；因此，以台積電為首等生態系加速研發SoIC，希望透過立體堆疊晶片技術，滿足SoC所需電晶體數量、接口數、傳輸品質及速度等要求，並避免Die Size持續放大，利用不同製程降低晶片成本。 SoIC技術核心是將多個不同功能晶片垂直堆疊，形成緊密的三維結構。其中，混合鍵合技術（Hybrid Bonding）是未來AI／HPC晶片互連主流的革命性技術。輝達與AMD目前都在尋求SoIC混合鍵合間距降至6um甚至4.5um技術，持續向前推進AI晶片極致算力。 現階段台積電已投入重兵研發SoIC，據悉AMD MI300為目前率先導入SoIC封裝之客戶，雖仍處良率爬坡階段，但其餘大廠皆大感興趣，觀察今年台積電各大客戶動態，除爭取於3nm搶下更多產能外，也參考CoWoS發展經驗，對SoIC封裝技術展現高度興趣。 其中，台積電最大客戶蘋果已率先預定2奈米先進製程產能，外傳蘋果已經釋出M5晶片規畫2025年跟進SoIC封裝並量產，供應鏈透露，相對於AI晶片，蘋果SoIC製作相對容易，台積電為準備產能給大客戶，SoIC產能明年將至少擴大一倍，目前SoIC月產能大概4千片，2026年產能將數倍以上成長。 市場傳出，台積電2奈米測試、生產與零組件等設備已在第二季初入廠裝機，本周將在新竹寶山新建晶圓廠進行2奈米製程試產，預料最快由iPhone 17系列導入。台積電2奈米新設計定案（tape-out）規劃2025年量產，包括濕製程設備、AOI檢測儀器等族群可望受惠。
外資按讚台積！半導體封測挖寶 大摩最看好「這一檔」
台股AI題材暫時進入休整，蘋果強勢奪回鎂光燈焦點，繼各大內外資上調新iPhone出貨量，摩根士丹利證券搶先將目光鎖定蘋果下世代AI伺服器晶片，將採用台積電3D先進封裝技術SoIC，除看好台積電為新商機關鍵受惠者，亦正向看待京元電後市，京元電同步獲得里昂證券升評「優於大盤」。 摩根士丹利證券半導體產業分析師詹家鴻指出，由於蘋果私有雲AI模型 Private Cloud Compute用戶基礎擴大，預期蘋果2025年將採用3奈米製程的M3／M4 Ultra晶片，來產出更多AI伺服器晶片；更重要的是，放眼2026年（即2025年下半年生產），蘋果將採用台積電2奈米製程與SoIC，來生產效能更強大的蘋果晶片（可能為M5），並運用在AI伺服器之中。 大摩針對晶圓代工供應鏈所做調查顯示，蘋果M系列晶片（M5 Pro／Max／Ultra）將採用台積電SoIC-X技術，目標2025年下半年大量生產，詹家鴻研判，台積電明年將會積極提升SoIC產能。 若擴大到整個半導體封測領域，而非僅著眼於蘋果長線商機，摩根士丹利現在最看好的台系廠商為京元電。大摩認為，京元電憑藉優異的預燒（burn-in）測試服務能力，將維持其市占領先地位；同時，大摩最近的產業調查發現，日月光投控旗下矽品嘗試通過輝達AI GPU的burn-in程序認證，但獲得結果仍無法與京元電相提並論。 SoIC先進封裝成顯學，AMD為率先採用之業者，蘋果也計畫明年下半年推出M5 AI晶片，並採用2奈米加SoIC先進封裝。 有別以往的中介層或晶片堆疊的方式，SoIC能在不使用任何微凸點的情況下堆疊矽晶片，而是直接將矽的金屬層對準並鍵結至矽晶片上。隨著技術日益成熟，開始有更多客戶開始導入「SoIC+CoWoS」的服務，法人便透露，蘋果將於明年下半導入，可望進一步實現最終的SiP（系統級封裝）整合。 法人進一步指出，除CoWoS外，台積電同時也積極建置SoIC產能，由於SoIC後面還是要走正常封裝程序，估計未來SoIC所需產能將大於CoWoS。法人預估，至今年年底SoIC月產能將達4～6千片，明年將有望超越萬片。
還得是蘋果！ 大摩：蘋果下一代AI伺服器晶片採台積SoIC
台股AI題材暫時進入休整，蘋果強勢奪回鎂光燈焦點，繼各大內外資上調新iPhone出貨量，摩根士丹利證券搶先將目光鎖定蘋果下世代AI伺服器晶片，將採用台積電（2330）3D先進封裝技術SoIC，除看好台積電為新商機關鍵受惠者，封測領域中亦正向看待京元電（2449）後市。 摩根士丹利證券半導體產業分析師詹家鴻指出，由於蘋果私有雲AI模型 Private Cloud Compute用戶基礎擴大，預期蘋果2025年將採用3奈米製程的M3／M4 Ultra晶片，來產出更多AI伺服器晶片；更重要的是，放眼2026年（即2025年下半年生產），蘋果將採用台積電2奈米製程與SoIC，來生產效能更強大的蘋果晶片（可能為M5），並運用在AI伺服器之中。 大摩針對晶圓代工供應鏈所做調查顯示，蘋果M系列晶片（M5 Pro／Max／Ultra）將採用台積電SoIC-X技術，目標2025年下半年大量生產，詹家鴻研判，台積電明年將會積極提升SoIC產能。
5G加速 聯電首推RFSOI 3D IC解決方案
聯電昨（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小逾45％，聯電表示，此技術將應用於手機、物聯網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電表示，RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題，將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中為整合更多射頻前端模組帶來的挑戰。該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電指出，RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術，以8吋和12吋晶圓生產，目前已完成超500個產品設計定案，出貨量更高達380多億顆。 聯電技術開發處執行處長馬瑞吉（Raj Verma）表示，聯電領先業界以創新射頻前端模組的3D IC技術打造最先進的解決方案，這項突破性技術不僅解決5G/6G智慧手機頻段需求增加所帶來的挑戰，更有助於在行動、物聯網和虛擬實境的裝置中，透過同時容納更多頻段來實現更快的資料傳輸。未來將持續開發如5G毫米波晶片堆疊技術的解決方案，以滿足客戶對射頻晶片的需求。
聯電推業界首項RFSOI 3D IC解決方案
聯電（2303）今（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小45％以上，聯電表示，該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電表示，該公司長期以來專注於特殊製程，並在製程技術上持續引領創新，今（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，在5G時代於手機、物聯網和 AR／VR的應用上，為加速5G世代鋪路。此次出擊也再次展現聯電晶圓代工的製程彈性及多元化，利用差異化技術，在激烈的市場競爭中突圍而出。 聯電也表示，此次該公司推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻(RF)效能下，可將晶片尺寸縮小45％以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。
聯電首推3DIC方案 加速5G裝置傳輸
晶圓廠聯電2日宣布，推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻(RF)效能下，可將晶片尺寸縮小45％以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。 RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題，將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中為整合更多射頻前端模組帶來的挑戰。該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電技術開發處執行處長Raj Verma表示，很高興以創新射頻前端模組的3D IC技術為客戶打造最先進的解決方案。這項突破性技術解決了5G／6G智慧手機頻段需求增加所帶來的挑戰，更有助於在行動、物聯網和虛擬實境的裝置中，透過同時容納更多頻段來實現更快的資料傳輸。
《半導體》聯電首推RFSOI 3DIC解決方案 加速5G時代創新
【時報記者林資傑台北報導】晶圓代工大廠聯電(2303)今（2）日宣布推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小逾45％，使客戶能有效率整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。 聯電表示，RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求不斷成長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案利用晶圓對晶圓鍵合技術，並解決晶片堆疊時常見的射頻干擾問題。 聯電指出，公司的RFSOI 3D IC解決方案將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中整合更多射頻前端模組（RF-FEM）帶來的挑戰。此製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電技術開發處執行處長馬瑞吉（Raj Verma）表示，此突破性技術不僅解決5G/6G智慧手機頻段需求增加帶來的挑戰，更有助在行動、物聯網和虛擬實境裝置中，透過同時容納更多頻段，來實現更快的資料傳輸。 馬瑞吉指出，聯電很高興能領先業界，以創新射頻前端模組的3D IC技術，為客戶打造最先進的解決方案。未來將持續開發如5G毫米波（mmWave）晶片堆疊技術的解決方案，以滿足客戶對射頻晶片的需求。 聯電表示，公司擁有業界最完整的射頻前端模組晶片解決方案，RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術，以8吋和12吋晶圓生產，目前已完成超過500個產品設計定案，出貨量高達380多億顆。 除了RFSOI技術外，聯電的6吋晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN），以及射頻濾波器（RF filters）技術，可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。